恭喜地球山(蘇州)微電子科技有限公司劉長華獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜地球山(蘇州)微電子科技有限公司申請的專利MEMS揚聲器發聲單元結構及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN119653296B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202510174360.1,技術領域涉及:H04R19/02;該發明授權MEMS揚聲器發聲單元結構及其制備方法是由劉長華;畢學東設計研發完成,并于2025-02-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本MEMS揚聲器發聲單元結構及其制備方法在說明書摘要公布了:本發明提供一種MEMS揚聲器發聲單元結構及其制備方法,通過將靜電式開關單元鍵合連接于壓電發聲單元上,使其可以利用壓電發聲單元較高的轉換效率輸出較高能量的超聲脈沖,再通過靜電式開關單元的精準開關控制對脈沖信號進行超聲解調,截取出有效部分用于數字音頻合成,實現對脈沖信號的有效調制與控制,突破了傳統單一驅動及信號處理方式聲壓級受限,電聲轉換效率低的問題,同時為MEMS揚聲器的性能提升和功能拓展開辟了新的途徑。
本發明授權MEMS揚聲器發聲單元結構及其制備方法在權利要求書中公布了:1.一種MEMS揚聲器發聲單元結構,其特征在于,所述發聲單元結構由下向上依次包括:壓電發聲單元及鍵合于所述壓電發聲單元上的靜電式開關單元;其中,所述靜電式開關單元由下向上依次包括:第一襯底、第一絕緣層、第一下電極層、第二絕緣層及靜電振膜層;還包括:貫穿所述第一襯底及所述第一絕緣層的第一空腔;位于所述第一空腔上方且貫穿所述第一下電極層及所述第二絕緣層的若干個第一通孔;位于所有所述第一通孔上方,且形成于所述靜電振膜層及所述第二絕緣層之間的第二空腔;所述靜電振膜層包括振膜、懸臂梁結構及位于所述振膜及所述懸臂梁結構之間的若干個透聲孔,所述振膜位于所有所述第一通孔的上方,且所述振膜可以振動至覆蓋所有所述第一通孔的表面;所述壓電發聲單元由下向上依次包括:第二襯底、第三絕緣層、第二下電極層、壓電層及上電極層;還包括:貫穿所述第二襯底的第三空腔;位于所述第三空腔上方,且貫穿所述上電極層、所述壓電層及所述第二下電極層的溝槽;形成于所述上電極層表面及所述溝槽的底壁和側壁上的第四絕緣層;以及位于所述溝槽內且貫穿所述第四絕緣層和所述第三絕緣層的第二通孔。
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