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龍圖騰網恭喜浙江大學申請的專利一種引發式分子層沉積方法及區域選擇性沉積調控方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119685802B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510206622.8，技術領域涉及：C23C16/455；該發明授權一種引發式分子層沉積方法及區域選擇性沉積調控方法是由趙俊杰;黃曉程;蔡蓬哲;劉德龍;沈沅灝;杜偉偉設計研發完成，并于2025-02-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種引發式分子層沉積方法及區域選擇性沉積調控方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種引發式分子層沉積方法及區域選擇性沉積調控方法。該引發式分子層沉積方法包括如下步驟：表面激活：將基板置于反應腔體中，利用等離子體在基板表面形成反應位點；沉積：向反應腔體中通入單體，單體與反應位點作用并在基板表面沉積形成膜層；其中，單體包括第一類單體和第二類單體，所述第一類單體的活性基團包括至少一個雙鍵，第二類單體包括不含乙烯基的硅氧烷類單體和不含乙烯基的硅氮烷類單體；依次重復表面激活、沉積步驟直至獲得目標厚度的薄膜。本申請的引發式分子層沉積方法通過多次制備膜層，實現了薄膜厚度的高精度控制，且適用于多種單體，工藝簡單，兼容性高。

本發明授權一種引發式分子層沉積方法及區域選擇性沉積調控方法在權利要求書中公布了：1.一種區域選擇性沉積調控方法，其特征在于，包括：表面激活：將基板置于反應腔體中，利用等離子體在所述基板表面形成反應位點；其中，所述基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面的材質為過渡金屬或過渡金屬氧化物，所述第二表面的材質為非過渡金屬或非過渡金屬氧化物；沉積：向所述反應腔體中通入單體，所述單體與所述反應位點作用并在所述基板表面沉積形成膜層；其中，所述單體包括第一類單體和第二類單體，所述第一類單體的活性基團包括至少一個雙鍵，所述第二類單體包括不含乙烯基的硅氧烷類單體和不含乙烯基的硅氮烷類單體；刻蝕：刻蝕去除所述第一表面的膜層；所述第一表面的刻蝕速率大于所述第二表面的刻蝕速率；依次重復所述表面激活、所述沉積和所述刻蝕的步驟直至在所述第二表面獲得目標厚度的聚合物薄膜或無機薄膜。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江大學，其通訊地址為：310058 浙江省杭州市西湖區余杭塘路866號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。