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龍圖騰網恭喜浙江廣芯微電子有限公司申請的專利面向特高壓MOSFET的封裝優化方法及系統獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119808693B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-30發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510259059.0，技術領域涉及：G06F30/392；該發明授權面向特高壓MOSFET的封裝優化方法及系統是由謝剛;劉斌凱;湛亞鑫設計研發完成，并于2025-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本面向特高壓MOSFET的封裝優化方法及系統在說明書摘要公布了：本申請提供了面向特高壓MOSFET的封裝優化方法及系統，涉及半導體制造技術領域，通過確定特高壓MOSFET元件的預設封裝布局；分析寄生電容及寄生電容對開關速度的影響，以及寄生電感及寄生電感對電壓過沖的影響，結合能量損耗關聯分析，建立寄生電容優化網絡和寄生電感優化網絡；擬定多個等效RC電路并進行等效組合，根據優化網絡建立性能優化模型；基于性能優化模型，結合封裝需求信息進行折中回溯迭代，同時，調整預設封裝布局，得到最優封裝布局。本申請解決了現有技術缺乏對封裝過程中寄生效應的系統性優化，導致難以實現整體封裝性能提升的技術問題，達到了顯著提高特高壓MOSFET的性能和可靠性的技術效果。

本發明授權面向特高壓MOSFET的封裝優化方法及系統在權利要求書中公布了：1.面向特高壓MOSFET的封裝優化方法，其特征在于，所述方法包括：根據特高壓MOSFET元件，確定預設封裝布局，所述特高壓MOSFET元件包括高側MOSFET源極引腳、電機繞組、低側MOSFET漏極引腳；根據所述預設封裝布局，分析寄生電容及寄生電容對開關速度的影響，獲取第一影響評估組合，并根據所述第一影響評估組合進行能量損耗關聯分析，利用第一能量損耗關聯分析結果，建立寄生電容優化網絡；根據所述預設封裝布局，分析寄生電感及寄生電感對電壓過沖的影響，獲取第二影響評估組合，并根據所述第二影響評估組合進行能量損耗關聯分析，利用第二能量損耗關聯分析結果，建立寄生電感優化網絡；通過所述特高壓MOSFET元件中的高側MOSFET源極引腳、電機繞組、低側MOSFET漏極引腳，擬定多個等效RC電路，所述多個等效RC電路包括串聯等效的RC電路、并聯等效的RC電路；對所述多個等效RC電路中的串聯等效的RC電路、并聯等效的RC電路進行等效組合，并根據所述寄生電容優化網絡、寄生電感優化網絡建立性能優化模型；基于所述性能優化模型，結合所述特高壓MOSFET元件的封裝需求信息進行折中回溯迭代，同時，對所述預設封裝布局進行調整，得到最優封裝布局，所述方法包括：引入外圍電子元件，擬定外圍電路集合；基于所述外圍電路集合、電源分配網絡進行布局緊湊化引導，設置布局引導矢量；使用所述布局引導矢量，優化元件間的相對位置和連接路徑，得到所述最優封裝布局；對所述預設封裝布局進行調整，得到最優封裝布局，所述方法還包括：獲取所述特高壓MOSFET元件的熱損耗特性；基于所述預設封裝布局，確定集成熱管散熱結構，所述集成熱管散熱結構具備多種規格熱管、多種規格散熱片形成的組合搭配；根據所述熱損耗特性，結合所述集成熱管散熱結構，確定熱阻約束條件，所述熱阻約束條件用于判定是否滿足所述封裝需求信息中的散熱需求標準；基于所述預設封裝布局，確定集成熱管散熱結構，所述集成熱管散熱結構具備多種規格熱管、多種規格散熱片形成的組合搭配，所述方法包括：根據所述預設封裝布局進行熱應力分析，獲取第一膨脹系數組合；根據所述集成熱管散熱結構進行熱應力分析，獲取第二膨脹系數組合；基于所述第一膨脹系數組合、第二膨脹系數組合進行散熱需求與封裝可靠性的雙向平衡分析，確定結構兼容約束標準，對所述預設封裝布局進行調整的過程中進行驗證，所述方法包括：根據所述第一膨脹系數組合、第二膨脹系數組合進行匹配，在溫度變化時收集膨脹差異參數，確定第一差異指數及應力集中風險；根據所述第一膨脹系數組合、第二膨脹系數組合進行匹配，在溫度變化時收集收縮差異參數，確定第二差異指數及封裝失效風險；通過所述第一差異指數及應力集中風險、第二差異指數及封裝失效風險，擬定結構兼容約束標準。

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