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龍圖騰網恭喜英特爾公司申請的專利用于高級集成電路結構制造的替換柵極結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN109860176B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811297814.0，技術領域涉及：H10D84/83；該發明授權用于高級集成電路結構制造的替換柵極結構是由B·何;S·亞羅維亞爾;J·S·萊布;M·L·哈藤多夫;C·P·奧特設計研發完成，并于2018-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本用于高級集成電路結構制造的替換柵極結構在說明書摘要公布了：本公開的實施例屬于高級集成電路結構制造的領域，并且具體而言屬于10納米節點和更小的集成電路結構制造和所得結構的領域。在示例中，一種集成電路結構包括鰭狀物。隔離結構圍繞所述下鰭狀物部分，所述隔離結構包括具有頂表面的絕緣材料、以及所述絕緣材料的所述頂表面的部分上的半導體材料，其中所述半導體材料與所述鰭狀物分開。柵極電介質層在所述上鰭狀物部分的頂部之上并與所述上鰭狀物部分的側壁橫向相鄰，所述柵極電介質層進一步在所述絕緣材料的所述頂表面的所述部分上的所述半導體材料上。柵極電極在所述柵極電介質層之上。

本發明授權用于高級集成電路結構制造的替換柵極結構在權利要求書中公布了：1.一種集成電路結構，包括：從半導體襯底突出的鰭狀物，所述鰭狀物具有下鰭狀物部分和上鰭狀物部分，所述上鰭狀物部分具有頂部和側壁；圍繞所述下鰭狀物部分的隔離結構，所述隔離結構包括具有頂表面的絕緣材料、以及所述絕緣材料的所述頂表面的部分上的半導體材料，其中，所述半導體材料與所述鰭狀物分開；柵極電介質層，其在所述上鰭狀物部分的頂部之上并與所述上鰭狀物部分的側壁橫向相鄰，所述柵極電介質層進一步在所述絕緣材料的所述頂表面的所述部分上的所述半導體材料上；柵極電極，其在處于所述上鰭狀物部分的頂部之上并與所述上鰭狀物部分的側壁橫向相鄰的所述柵極電介質層之上，所述柵極電極進一步在所述絕緣材料的所述頂表面的所述部分上的所述半導體材料上的所述柵極電介質層之上；與所述柵極電極的第一側相鄰的第一源極或漏極區；以及與所述柵極電極的第二側相鄰的第二源極或漏極區，所述第二側與所述第一側相對。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人英特爾公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。