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龍圖騰網(wǎng)恭喜菲拓梅里克斯公司申請的專利確定半導(dǎo)體器件特性的系統(tǒng)和方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113056814B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：201980043920.2，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/66；該發(fā)明授權(quán)確定半導(dǎo)體器件特性的系統(tǒng)和方法是由雷鳴設(shè)計研發(fā)完成，并于2019-04-26向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本確定半導(dǎo)體器件特性的系統(tǒng)和方法在說明書摘要公布了：二次諧波產(chǎn)生SHG可以用于詢問諸如半導(dǎo)體晶片上的層狀半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面之類的表面。在某些情況下，SHG用于評估諸如金屬和氧化物之間的界面區(qū)域。多種參數(shù)例如輸入偏振、輸出偏振和入射光束的方位角可能影響SHG信號。因此，對于晶片上的不同類型的圖案，這些參數(shù)存在差異。多種測試結(jié)構(gòu)上的SHG計量也可以輔助表征樣品。

本發(fā)明授權(quán)確定半導(dǎo)體器件特性的系統(tǒng)和方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件制造結(jié)構(gòu)，包括：半導(dǎo)體襯底；支撐在所述半導(dǎo)體襯底上的第一測試結(jié)構(gòu)，所述第一測試結(jié)構(gòu)包括：接觸半導(dǎo)體以在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一界面區(qū)域的第一氧化物層；暴露于周圍環(huán)境的導(dǎo)電區(qū)域；以及互連，所述互連被層間電介質(zhì)材料所包圍，所述互連在暴露于所述周圍環(huán)境的所述導(dǎo)電區(qū)域和所述第一氧化物層之間提供部分電路徑，其中，所述第一測試結(jié)構(gòu)被配置為在所述第一界面區(qū)域處接收來自光學(xué)計量系統(tǒng)的光，并產(chǎn)生能夠被所述光學(xué)計量系統(tǒng)接收的二次諧波產(chǎn)生的光；以及在所述半導(dǎo)體襯底上的第二測試結(jié)構(gòu)，所述第二測試結(jié)構(gòu)包括接觸半導(dǎo)體以在所述半導(dǎo)體襯底上形成第二界面區(qū)域的第二氧化物層，其中所述第二測試結(jié)構(gòu)被配置為在所述第二界面區(qū)域處接收來自所述光學(xué)計量系統(tǒng)的光，并產(chǎn)生能夠被所述光學(xué)計量系統(tǒng)接收的二次諧波產(chǎn)生的光；其中所述第二測試結(jié)構(gòu)未電連接到暴露于所述周圍環(huán)境的電接觸區(qū)域。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人菲拓梅里克斯公司，其通訊地址為：美國加利福尼亞州；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。