恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司王楠獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體器件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111986995B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910436383.X，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體器件及其形成方法是由王楠設計研發完成，并于2019-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件及其形成方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件及其形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括上拉晶體管區，在所述襯底上形成第一芯層；在所述第一芯層上形成分立排布的第二芯層；在所述第二芯層的側壁上形成第一犧牲側墻；在所述上拉晶體管區的相鄰所述第一犧牲側墻之間形成有間隙；去除所述第二芯層，并以所述第一犧牲側墻為掩膜，刻蝕所述第一芯層，直至暴露出所述襯底；在所述間隙內填充滿介電層；利用本發明的方法形成的半導體器件具有穩定的使用性能，能夠保證形成圖形的準確性，工藝過程得到簡化。
本發明授權半導體器件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底包括上拉晶體管區，在所述襯底上形成第一芯層；在所述第一芯層上形成分立排布的第二芯層；在所述第二芯層的側壁上形成第一犧牲側墻，所述第二芯層的寬度大于所述第一犧牲側墻的寬度；在所述上拉晶體管區的相鄰所述第一犧牲側墻之間形成有間隙；去除所述第二芯層后，以所述第一犧牲側墻為掩膜，刻蝕所述第一芯層，直至暴露出所述襯底，所述間隙傳遞到所述上拉晶體管區的相鄰刻蝕后的所述第一芯層之間；去除所述第一犧牲側墻；在所述上拉晶體管區的相鄰刻蝕后的所述第一芯層之間的所述間隙內填充滿介電層；在填充滿所述介電層之后，還包括：在刻蝕后的所述第一芯層的側壁上形成第二犧牲側墻；去除刻蝕后的所述第一芯層以及所述介電層；以所述第二犧牲側墻為掩膜，刻蝕部分厚度的所述襯底，在所述襯底上形成若干分立排布的鰭部；去除所述第二犧牲側墻。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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