恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司趙猛獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112017962B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910459875.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構及其形成方法是由趙猛設計研發完成，并于2019-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成柵極結構，柵極結構下方的基底用于作為溝道區；在柵極結構兩側的基底中形成溝槽；在溝槽底部靠近溝道區的位置處以及溝道區下方的基底中形成摻雜區，摻雜區中含有第二型離子，第二型離子與第一型晶體管的摻雜離子類型不同；形成摻雜區后，在溝槽中形成源漏摻雜層。本發明實施例摻雜區使得源漏摻雜層中的摻雜離子不易向溝道區下方擴散，從而源漏摻雜層中源極和漏極保持較遠的間隔，且在半導體結構工作時，摻雜區使得源漏摻雜層的耗盡層不易擴展，從而使得源漏摻雜層中漏極引入的勢壘不易降低以及亞閾值擺幅不易提高，進而降低短溝道效應，提高了半導體結構的電學性能。
本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，用于形成第一型晶體管，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成柵極結構，所述柵極結構下方的所述基底用于作為溝道區；在所述柵極結構兩側的所述基底中形成溝槽，所述溝槽從鰭部的頂部延伸至鰭部的底部；在所述溝槽底部靠近所述溝道區的位置處以及所述溝道區下方的基底中形成摻雜區，所述摻雜區成片的位于兩個溝槽之間，且所述摻雜區的頂部和鰭部的頂部間隔設置，所述摻雜區中含有第二型離子，所述第二型離子與第一型晶體管的摻雜離子類型不同；形成所述摻雜區后，在所述溝槽中形成源漏摻雜層，且所述摻雜區位于所述柵極結構兩側的所述源漏摻雜層之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區中國(上海)自由貿易試驗區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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