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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112530857B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910887415.8，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其形成方法是由于海龍;譚晶晶;荊學珍;郭雯設計研發完成，并于2019-09-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，包括：提供襯底，所述襯底內具有第一金屬層；在所述襯底上形成介質層，所述介質層內具有暴露出第一金屬層頂部表面的第一開口；采用第一濺射處理對第一開口底部暴露出的第一金屬層表面進行轟擊，使所述第一金屬層表面的金屬材料濺射到所述第一開口側壁表面形成第一粘附層；采用第一金屬選擇性生長工藝在所述第一粘附層表面以及所述第一金屬層暴露出的表面形成第二金屬。在本發明的技術方案中，通過在第一開口側壁表面形成第一粘附層，進而在第一粘附層的側壁與第一金屬層的表面形成第二金屬層，以此提升第二金屬層與第一開口的側壁表面之間的結合性，有效的減小了外部的雜質進入到所述第一開口內造成金屬污染。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底，所述襯底內具有第一金屬層；在所述襯底上形成介質層，所述介質層內具有暴露出所述第一金屬層頂部表面的第一開口；采用第一濺射處理對所述第一開口底部暴露出的所述第一金屬層表面進行轟擊，使所述第一金屬層表面的金屬材料濺射嵌入到所述第一開口側壁形成第一粘附層，提升所述第一粘附層與所述第一開口的側壁表面之間的結合性；采用第一金屬選擇性生長工藝在所述第一粘附層表面以及所述第一金屬層暴露出的表面形成第二金屬層，提升所述第二金屬層與所述第一開口的側壁表面之間的結合性；其中，所述襯底包括基底以及位于所述基底內的器件結構，所述第一金屬層位于所述器件結構內；所述第二金屬層頂部表面低于所述介質層頂部表面，所述半導體結構的形成方法還包括：進行一次或多次濺射生長工藝，在所述第二金屬層表面和所述第一粘附層表面形成填充滿所述第一開口的導電結構。

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