恭喜中環領先(徐州)半導體材料有限公司;中環領先半導體科技股份有限公司盧健平獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜中環領先(徐州)半導體材料有限公司;中環領先半導體科技股份有限公司申請的專利雙面減薄的裝置和方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110860998B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911252063.5，技術領域涉及：B24B37/08；該發明授權雙面減薄的裝置和方法是由盧健平設計研發完成，并于2019-12-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本雙面減薄的裝置和方法在說明書摘要公布了：本發明公開了雙面減薄的裝置和方法，裝置包括：環狀保持器，所述環狀保持器包括承載環和靜壓環，所述承載環沿徑向支撐加工工件的外周側，通過所述承載環帶動加工工件在豎直方向上轉動，所述靜壓環沿著徑向固定設置在承載環的外周側；兩個靜壓墊，分別為第一靜壓墊和第二靜壓墊，所述兩個靜壓墊分別對稱地設置在環狀保持器的兩側；進擊軸，所述進擊軸設置在靜壓墊的下部開孔處，沿著軸向移動，所述進擊軸上的砂輪通過開孔直接研磨加工工件，所述第一靜壓墊與第二靜壓墊的間距為D0+130～D0+150微米。由此，采用該裝置可相對地提升生產的穩定性，降低機臺調試的頻率。
本發明授權雙面減薄的裝置和方法在權利要求書中公布了：1.一種雙面減薄的裝置，包括：環狀保持器，所述環狀保持器包括承載環和靜壓環，所述承載環沿徑向支撐加工工件的外周側，通過所述承載環帶動加工工件在豎直方向沿軸向轉動，所述靜壓環沿著徑向固定設置在承載環的外周側，兩個靜壓墊，分別為第一靜壓墊和第二靜壓墊，所述兩個靜壓墊分別對稱地設置在環狀保持器的兩側，進擊軸，所述進擊軸設置在所述靜壓墊的下部開孔處，沿著軸向移動，所述進擊軸上的砂輪通過開孔直接研磨加工工件，其特征在于，靜壓環偏擺量為40～50微米，所述靜壓墊表面平面度30微米以下，所述第一靜壓墊與第二靜壓墊的間距為D0+130～D0+150微米，其中D0為加工工件初始厚度，單位為微米。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中環領先(徐州)半導體材料有限公司;中環領先半導體科技股份有限公司，其通訊地址為：221004 江蘇省徐州市經濟技術開發區鑫芯路1號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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