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龍圖騰網(wǎng)恭喜深圳雷曼光電科技股份有限公司;惠州雷曼光電科技有限公司申請(qǐng)的專利一種倒裝Micro LED全彩量子點(diǎn)芯片、其制備方法和用途獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN111326621B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010258622.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/813；該發(fā)明授權(quán)一種倒裝Micro LED全彩量子點(diǎn)芯片、其制備方法和用途是由李漫鐵;余亮;屠孟龍?jiān)O(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-04-03向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種倒裝Micro LED全彩量子點(diǎn)芯片、其制備方法和用途在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種倒裝MicroLED全彩量子點(diǎn)芯片、其制備方法和用途。本發(fā)明提供的倒裝MicroLED全彩量子點(diǎn)芯片，可以在單個(gè)LED芯片上形成紅藍(lán)綠的發(fā)光結(jié)構(gòu)，無需設(shè)置RGB陣列，可大幅巨量轉(zhuǎn)移效率和良率；單顆芯片不僅可以完成全彩發(fā)光，而且還節(jié)省晶圓面積和芯片成本，有利于下游企業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)；附加量子材料可使芯片的顯示效果不受電流的波動(dòng)而受到影響。本發(fā)明通過在所述倒裝MicroLED全彩量子點(diǎn)芯片中，設(shè)置三個(gè)負(fù)極和一個(gè)公用正極，可在一個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)紅、綠、藍(lán)單獨(dú)光色發(fā)光，或兩種光色同時(shí)發(fā)光，或三種光色同時(shí)發(fā)光的效果，實(shí)現(xiàn)發(fā)光光色可調(diào)。

本發(fā)明授權(quán)一種倒裝Micro LED全彩量子點(diǎn)芯片、其制備方法和用途在權(quán)利要求書中公布了：1.一種倒裝MicroLED全彩量子點(diǎn)芯片，其特征在于，所述倒裝MicroLED全彩量子點(diǎn)芯片包括襯底和依次設(shè)置于所述襯底表面的第一藍(lán)光外延層、第一氧化銦錫層、第一發(fā)光量子點(diǎn)層、第二藍(lán)光外延層、第二氧化銦錫層、第二發(fā)光量子點(diǎn)層、第三藍(lán)光外延層、第三氧化銦錫層和DBR反射層；所述第一藍(lán)光外延層、第二藍(lán)光外延層和第三藍(lán)光外延層的組成各自獨(dú)立地包括：依次設(shè)于所述襯底表面的藍(lán)光N型氮化鎵層、藍(lán)光有源層和藍(lán)光P型氮化鎵層；所述倒裝MicroLED全彩量子點(diǎn)芯片中，第一N電極從遠(yuǎn)離襯底的芯片表面貫穿至第一藍(lán)光外延層中的藍(lán)光N型氮化鎵層，第二N電極從遠(yuǎn)離襯底的芯片表面貫穿至第二藍(lán)光外延層中的藍(lán)光N型氮化鎵層，第三N電極從遠(yuǎn)離襯底的芯片表面貫穿至第三藍(lán)光外延層中的藍(lán)光N型氮化鎵層，第四P電極從遠(yuǎn)離襯底的芯片表面貫穿至第一藍(lán)光外延層中的藍(lán)光P型氮化鎵層。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人深圳雷曼光電科技股份有限公司;惠州雷曼光電科技有限公司，其通訊地址為：518108 廣東省深圳市南山區(qū)松白路百旺信高科技工業(yè)園二區(qū)第八棟；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。