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龍圖騰網恭喜昆明理工大學;國網上海能源互聯網研究院有限公司;哈爾濱眾達電子有限公司申請的專利一種基于絕緣體上硅的低應力硅基厚膜及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111747377B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010705386.1，技術領域涉及：B81C1/00；該發明授權一種基于絕緣體上硅的低應力硅基厚膜及其制備方法是由方青;胡鶴鳴;邵瑤;張馨丹;顧苗苗;陳華;陳曉峰設計研發完成，并于2020-07-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于絕緣體上硅的低應力硅基厚膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種基于絕緣體上硅的低應力硅基厚膜及其制備方法，屬于半導體制備技術領域。本發明所述低應力硅基厚膜包括襯底硅層、硅氧化物層，包覆層和硅基厚膜層，襯底硅層上設有硅氧化物層，硅氧化物層上沉積有硅基厚膜層，硅基厚膜層上設有網格狀溝槽，網格狀溝槽將硅基薄膜分割成數個獨立單元，網格狀溝槽內填充有包覆層；本發明所述硅基厚膜可以改善厚膜內部所受應力不均勻的情況，減小厚膜應力，增大了所沉積的厚膜的最大厚度，能夠實現器件的大規模生產。

本發明授權一種基于絕緣體上硅的低應力硅基厚膜及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種基于絕緣體上硅的低應力硅基厚膜，其特征在于：包括襯底硅層、硅氧化物層，包覆層和硅基厚膜層，襯底硅層上生長有硅氧化物層，硅氧化物層上沉積有硅基厚膜層，硅基厚膜層上設有網格狀溝槽，網格狀溝槽將硅基薄膜分割成數個獨立單元，網格狀溝槽內填充有包覆層；所述基于絕緣體上硅的低應力硅基厚膜的制備方法，具體包括以下步驟：1在硅襯底上形成硅氧化物層，然后沉積一層硅基薄膜層，在硅基薄膜層沿x方向上，每隔5-25mm刻蝕產生一個溝槽，在硅基薄膜層沿y方向上，每隔5-32mm刻蝕產生一個溝槽，去膠并清洗后，備用；2在薄膜上方沉積一層低應力的包覆層，包覆層材料厚度高于硅基薄膜材料；使溝槽中填充滿低應力的包覆層材料；3通過反向包覆層刻蝕工藝和化學機械平坦化工藝拋光去除硅基薄膜層上面的包覆層材料，保留溝槽的包覆層材料，得到平整的上表面；4重復步驟1、2和3多次，使硅基膜厚度達到1μm以上，并保持晶圓低的翹曲度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人昆明理工大學;國網上海能源互聯網研究院有限公司;哈爾濱眾達電子有限公司，其通訊地址為：650093 云南省昆明市五華區學府路253號(昆明理工大學)；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。