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龍圖騰網恭喜中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114156228B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010929718.4，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構及其形成方法是由于海龍;荊學珍;張浩;張田田;孟晉輝設計研發完成，并于2020-09-07向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一介質層和若干柵極結構，所述柵極結構兩側的基底內具有源漏摻雜區，且所述源漏摻雜區頂部表面具有源漏插塞，所述第一介質層位于所述柵極結構、源漏摻雜區以及源漏插塞表面；在所述第一介質層內形成第一插塞，所述第一插塞與所述源漏插塞頂部表面或者柵極結構頂部表面相接觸；在所述第一介質層表面形成第二介質層，且所述第二介質層覆蓋所述第一插塞表面；在所述第一介質層和第二介質層內形成第二插塞材料膜，所述第二插塞材料膜與所述源漏插塞頂部表面或者柵極結構頂部表面相接觸。所述方法有利于提高形成的半導體結構的性能。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成第一介質層和若干柵極結構，所述柵極結構兩側的基底內具有源漏摻雜區，且所述源漏摻雜區頂部表面具有源漏插塞，所述第一介質層位于所述柵極結構、源漏摻雜區以及源漏插塞表面；在所述第一介質層內形成第一插塞，所述第一插塞與所述源漏插塞頂部表面或者柵極結構頂部表面相接觸；在所述第一介質層表面形成第二介質層，且所述第二介質層覆蓋所述第一插塞表面；在所述第一介質層和第二介質層內形成第二插塞材料膜，所述第二插塞材料膜與所述源漏插塞頂部表面或者柵極結構頂部表面相接觸；平坦化所述第二插塞材料膜，直至暴露出第一介質層表面和第一插塞頂部表面，在所述第一介質層內形成第二插塞，且所述第二插塞與所述源漏插塞頂部表面或者柵極結構頂部表面相接觸；所述第一插塞的形成方法包括：在所述第一介質層內形成第一開口，所述第一開口暴露出所述源漏插塞頂部表面或者柵極結構頂部表面；在所述第一開口內和第一介質層表面形成第一插塞材料膜；平坦化所述第一插塞材料膜，直至暴露出第一介質層表面，在所述第一開口內形成所述第一插塞。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區張江路18號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。