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龍圖騰網恭喜株式會社迪思科申請的專利晶片的加工方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112838001B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011318746.9，技術領域涉及：H01L21/304；該發明授權晶片的加工方法是由中村勝設計研發完成，并于2020-11-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本晶片的加工方法在說明書摘要公布了：本發明提供晶片的加工方法，在對兩層構造的晶片進行加工時，即使對晶片的背面進行磨削而薄化，也不會在外周形成刀刃，并且能夠解決示出晶體取向的凹口消失而給后續工序中的處理帶來障礙的問題。該晶片的加工方法對在第一晶片的正面上層疊第二晶片而構成的二層構造的晶片進行加工，其中，該晶片的加工方法包含如下的工序：階梯差部形成工序，從第二晶片側切削至到達第一晶片的外周剩余區域且與第一晶片的完工厚度對應的深度，將形成于第二晶片的外周端的倒角部去除，在第一晶片的外周剩余區域形成環狀的階梯差部；以及第二晶片磨削工序，在實施了該階梯差部形成工序之后，對第二晶片的露出面進行磨削而使第二晶片形成為規定的厚度。

本發明授權晶片的加工方法在權利要求書中公布了：1.一種晶片的加工方法，對在第一晶片的正面上層疊第二晶片而構成的兩層構造的晶片進行加工，該第一晶片在正面上具有由交叉的多條分割預定線劃分而形成有多個器件的器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：階梯差部形成工序，從該第二晶片側切削至到達該第一晶片的外周剩余區域且與該第一晶片的完工厚度對應的深度，將形成于該第二晶片的外周端的倒角部去除，在該第一晶片的外周剩余區域形成環狀的階梯差部；第二晶片磨削工序，在實施了該階梯差部形成工序之后，對該第二晶片的露出面進行磨削，使該第二晶片成為規定的厚度；環狀改質層形成工序，在實施了該第二晶片磨削工序之后，將對于該第一晶片具有透過性的波長的激光光線的聚光點定位于該第一晶片的外周剩余區域所形成的該階梯差部的根部的內部而進行照射，形成環狀的改質層；保護帶配設工序，在實施了該環狀改質層形成工序之后，在該第二晶片的露出面上配設大小與該第一晶片對應的保護帶；以及第一晶片磨削工序，在實施了該保護帶配設工序之后，對該第一晶片的露出面進行磨削而對該改質層賦予刺激，使包含該階梯差部在內的環狀的區域沿著該改質層從該第一晶片分離而下落到該保護帶上，并且將該第一晶片磨削至完工厚度。

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