恭喜蘇州大學文正學院李珂獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜蘇州大學文正學院申請的專利基于II-VI族半導體一維納米結構的存儲器的制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114613681B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011420070.4，技術領域涉及：H01L21/423；該發明授權基于II-VI族半導體一維納米結構的存儲器的制備方法是由李珂;邵智斌;王前;裘欣設計研發完成，并于2020-12-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于II-VI族半導體一維納米結構的存儲器的制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了基于II?VI族半導體一維納米結構的存儲器的制備方法。該制備方法包括如下步驟：提供一基底；在所述基底上形成基于II?VI族半導體的一維納米結構；在所述一維納米結構的兩端形成第一金屬電極層和第二金屬電極層，以獲得存儲器坯料；對所述存儲器坯料進行電子輻照處理，以獲得存儲器。本發明的方案獲得了具有大存儲窗口、高開關比等特性的基于II?VI族半導體一維納米結構的存儲器，并且該制備方法省去了制備浮柵層、氧化物阻擋層以及隧穿層的工序，且該制備方法工藝簡單。
本發明授權基于II-VI族半導體一維納米結構的存儲器的制備方法在權利要求書中公布了：1.基于II-VI族半導體一維納米結構的存儲器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：提供一基底；在所述基底上形成基于II-VI族半導體的一維納米結構；在所述一維納米結構的兩端形成第一金屬電極層和第二金屬電極層，以獲得存儲器坯料；對所述存儲器坯料進行電子輻照處理，以獲得存儲器。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州大學文正學院，其通訊地址為：215104 江蘇省蘇州市吳中區吳中大道1188號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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