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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體器件和形成半導體器件的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113284849B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110195656.3，技術領域涉及：H10D84/03；該發明授權半導體器件和形成半導體器件的方法是由朱峯慶;李威養;楊豐誠;陳燕銘設計研發完成，并于2021-02-19向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件和形成半導體器件的方法在說明書摘要公布了：一種方法包括提供一種結構，該結構具有在襯底上方的第一鰭和第二鰭并且通常沿著第一方向縱向定向和第一鰭和第二鰭上方的源極漏極SD部件；形成覆蓋SD部件的層間介電ILD層；至少對SD部件之間的區域執行第一蝕刻工藝，從而在ILD層中形成溝槽；在溝槽中沉積介電材料；執行第二蝕刻工藝以選擇性地使介電材料凹進；然后執行第三蝕刻工藝以選擇性地使ILD層凹進，從而形成暴露SD部件的接觸孔。根據本申請的其他實施例，還提供了半導體器件。

本發明授權半導體器件和形成半導體器件的方法在權利要求書中公布了：1.一種形成半導體器件的方法，包括：提供一種結構，所述結構包括襯底、從所述襯底突出的鰭、圍繞所述鰭的隔離部件、以及與所述鰭接合的柵極結構；沉積抗蝕劑層，所述抗蝕劑層覆蓋所述鰭、所述隔離部件、以及所述柵極結構；執行第一蝕刻工藝以使所述抗蝕劑層凹進在所述柵極結構的頂表面的下方，其中，在執行所述第一蝕刻工藝之后，所述抗蝕劑層的頂表面與所述柵極結構的頂表面的高度差相對于所述柵極結構的頂表面與所述鰭的頂表面的高度差之比的范圍為1:4至1:2；執行第二蝕刻工藝以進一步使所述抗蝕劑層凹進，其中，所述第二蝕刻工藝具有比所述第一蝕刻工藝更高的蝕刻速率；執行第三蝕刻工藝以去除所述抗蝕劑層，其中，所述第三蝕刻工藝具有比所述第二蝕刻工藝更低的蝕刻速率；使所述鰭凹進；以及在所述鰭之上形成外延源極漏極部件。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。