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龍圖騰網恭喜北方集成電路技術創新中心(北京)有限公司申請的專利半導體結構及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050646B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110249389.3，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構及其形成方法是由汪涵;卜偉海設計研發完成，并于2021-03-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其形成方法在說明書摘要公布了：一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：在襯底上形成堆疊結構，包括自下而上依次交替堆疊的多個第一功能層和第二功能層；在第二疊層結構側壁形成保護側墻；去除第一疊層結構中的第一功能層，第一疊層結構中的第二功能層作為第一溝道層；形成包圍第一溝道層的底部柵極；去除保護側墻；去除第二疊層結構中的第二功能層，第二疊層結構中的第一功能層作為第二溝道層；形成包圍第二溝道層的頂部柵極。本發明實施例分別將第一疊層結構中的第二功能層保留作為第一溝道層、將第二疊層結構中的第一功能層保留作為第二溝道層，從而為第一器件結構和第二器件結構形成不同的溝道層，并且有利于降低第一溝道層和第二溝道層受損的幾率，提升了CFET的性能。

本發明授權半導體結構及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：提供襯底；在所述襯底上形成堆疊結構，包括自下而上依次交替堆疊的多個第一功能層和第二功能層，一個所述第二功能層和位于所述第二功能層上的第一功能層用于構成一個溝道疊層，最靠近所述襯底的第一功能層作為底層功能層，最遠離所述襯底的第二功能層作為頂層功能層；所述底層功能層和位于所述底層功能層上的一個或多個所述溝道疊層用于構成第一疊層結構，位于所述第一疊層結構上的剩余溝道疊層和所述頂層功能層用于構成第二疊層結構；在所述第二疊層結構的側壁上形成保護側墻；形成所述保護側墻后，去除所述第一疊層結構中的第一功能層，使所述第一疊層結構中的第二功能層用于作為第一溝道層；形成包圍所述第一溝道層的底部柵極，所述底部柵極與所述第一溝道層用于構成第一器件結構；形成所述底部柵極后，去除所述保護側墻，暴露出所述第二疊層結構的頂面和側壁；去除所述第二疊層結構中的第二功能層，使所述第二疊層結構中的第一功能層用于作為第二溝道層；在所述底部柵極上形成包圍所述第二溝道層的頂部柵極，所述頂部柵極和第二溝道層用于構成第二器件結構。

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