恭喜財團法人工業技術研究院陳昭蓉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜財團法人工業技術研究院申請的專利多芯片封裝件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113571496B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110417910.X，技術領域涉及：H01L23/538；該發明授權多芯片封裝件及其制造方法是由陳昭蓉;林育民;吳昇財;黃馨儀;林昂櫻;倪梓瑄;羅元聽設計研發完成，并于2021-04-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本多芯片封裝件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種多芯片封裝件及其制造方法。多芯片封裝件包括：中介層，包括介電主體、被所述介電主體隔開的多個半導體主體、貫穿所述介電主體的貫穿通路以及位于所述多個半導體主體中的每一者中的布線結構；多個半導體芯片，并排地位于所述中介層的第一表面上且電連接至所述布線結構；包封體，位于所述中介層的所述第一表面上且包封所述多個半導體芯片的至少部分；以及重配置線路結構，位于所述中介層的第二表面上，所述中介層的所述第二表面與所述中介層的所述第一表面相對，所述重配置線路結構通過所述貫穿通路電連接至所述多個半導體芯片。
本發明授權多芯片封裝件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種多芯片封裝件，其特征在于，包括：中介層，包括介電主體、被所述介電主體隔開的多個半導體主體、貫穿所述介電主體的貫穿通路以及位于所述多個半導體主體中的每一者中的布線結構；多個半導體芯片，并排地位于所述中介層的第一表面上且電連接至所述布線結構；包封體，位于所述中介層的所述第一表面上且包封所述多個半導體芯片的至少部分；以及重配置線路結構，位于所述中介層的第二表面上，所述中介層的所述第二表面與所述中介層的所述第一表面相對，所述重配置線路結構通過所述貫穿通路電連接至所述多個半導體芯片，其中所述介電主體與所述半導體主體間的界面不垂直于所述中介層的第一表面，其中所述介電主體的寬度隨著與所述多個半導體芯片的距離增大而增加。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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