恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司吳俊毅獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜臺灣積體電路制造股份有限公司申請的專利半導體結構、半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113314497B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110474903.3，技術領域涉及：H01L23/498；該發明授權半導體結構、半導體器件及其制造方法是由吳俊毅;余振華;劉重希設計研發完成，并于2021-04-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構、半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：結構包括：芯襯底，附接至再分布結構的第一側，其中，第一再分布結構包括第一導電部件和第一介電層，其中，每個芯襯底包括導電柱，其中，芯襯底的導電柱物理和電接觸第一導電部件；密封劑，在再分布結構的第一側上方延伸，其中，密封劑沿每個芯襯底的側壁延伸；以及集成器件封裝件，連接至第一再分布結構的第二側。本申請的實施例還涉及半導體結構、半導體器件及其制造方法。
本發明授權半導體結構、半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，包括：第一互連結構，所述第一互連結構包括位于所述第一互連結構的第一側上的導電柱；第二互連結構，所述第二互連結構包括位于所述第二互連結構的第一側上的導電柱，其中，所述第二互連結構與所述第一互連結構橫向相鄰；底部填充材料，在所述第一互連結構的所述第一側上方、所述第二互連結構的第一側上方延伸，并且在所述第一互連結構和所述第二互連結構之間延伸，所述底部填充材料與每個所述導電柱具有共面的表面；第一再分布結構，位于共面的所述表面上，在所述第一互連結構的所述第一側上方和所述第二互連結構的所述第一側上方延伸，其中，所述第一再分布結構電連接至所述第一互連結構的所述導電柱和所述第二互連結構的所述導電柱；以及集成器件封裝件，包括封裝在一起的多個集成電路管芯，所述集成器件封裝件附接至所述第一再分布結構，其中，所述集成器件封裝件中的一個集成電路管芯跨過所述第一互連結構與所述第二互連結構之間的所述底部填充材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人臺灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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