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龍圖騰網(wǎng)恭喜長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利一種空氣間隔制備方法、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器及電子設(shè)備獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115568205B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110748687.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)一種空氣間隔制備方法、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器及電子設(shè)備是由楊蕾設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-07-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種空氣間隔制備方法、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器及電子設(shè)備在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種空氣間隔制備方法、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器及電子設(shè)備，包括：在節(jié)點(diǎn)接觸層的上端面、第一位線間隔層頂部、第二位線間隔層頂部、氧化層頂部和絕緣層上端面沉積第一覆蓋層；向下刻蝕去除以氧化層頂部所在位置為水平線以上部分；在刻蝕后平面之上形成第一氧化層；刻蝕去除每一位線第一側(cè)的氧化層頂部、第一側(cè)的第一位線間隔層頂部和第一側(cè)的第二位線間隔層頂部的第一氧化層部分，保留每一位線第二側(cè)的氧化層頂部、第二側(cè)的第一位線間隔層頂部和第二側(cè)的第二位線間隔層頂部的第一氧化層部分，將保留的第一氧化層部分確定為氧化層圖形；對去除的第一氧化層部分的位置進(jìn)行沉積形成第二覆蓋層；去除氧化層圖形和氧化層。

本發(fā)明授權(quán)一種空氣間隔制備方法、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器及電子設(shè)備在權(quán)利要求書中公布了：1.一種空氣間隔制備方法，其特征在于，應(yīng)用于動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器包括制備有位線和字線的半導(dǎo)體襯底、設(shè)置于所述位線兩側(cè)側(cè)壁的第一位線間隔層、設(shè)置于所述第一位線間隔層側(cè)壁的氧化層、設(shè)置于所述位線頂部的絕緣層，所述半導(dǎo)體襯底表面設(shè)置有節(jié)點(diǎn)接觸層，所述動態(tài)隨機(jī)存取存儲器還包括第二位線間隔層，所述氧化層位于所述第一位線間隔層和第二位線間隔層之間，所述方法，包括：在所述節(jié)點(diǎn)接觸層的上端面、所述第一位線間隔層頂部、所述第二位線間隔層頂部、所述氧化層頂部以及所述絕緣層的上端面沉積第一覆蓋層，所述第一覆蓋層下端面生成一薄膜層；將所述第一覆蓋層研磨至與所述絕緣層頂部的所述薄膜層上端面平齊后，向下刻蝕去除以所述氧化層頂部所在位置為水平線以上部分，以裸露出所述氧化層頂部；在刻蝕后平面之上形成第一氧化層；對所述第一氧化層進(jìn)行刻蝕，去除每一所述位線第一側(cè)的所述氧化層頂部、第一側(cè)的所述第一位線間隔層頂部和第一側(cè)的所述第二位線間隔層頂部的所述第一氧化層部分，保留每一所述位線第二側(cè)的所述氧化層頂部、第二側(cè)的所述第一位線間隔層頂部和第二側(cè)的所述第二位線間隔層頂部的所述第一氧化層部分，將保留的所述第一氧化層部分確定為氧化層圖形；對去除的所述第一氧化層部分的位置進(jìn)行沉積形成第二覆蓋層，所述第二覆蓋層上表面與所述氧化層圖形上端面平齊；去除所述氧化層圖形和所述氧化層，以在所述氧化層位置形成空氣間隔。

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