恭喜力旺電子股份有限公司陳英哲獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜力旺電子股份有限公司申請的專利非揮發性存儲器的存儲單元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114188419B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110917690.7，技術領域涉及：H10D30/69；該發明授權非揮發性存儲器的存儲單元是由陳英哲;孫文堂;黎俊霄;陳學威設計研發完成，并于2021-08-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本非揮發性存儲器的存儲單元在說明書摘要公布了：本發明公開一種非揮發性存儲器的存儲單元，包括一存儲元件。存儲元件為一晶體管，且存儲元件具有不對稱的間隙壁。在存儲元件中，較寬間隙壁的下方具有較長的溝道。當存儲元件進行編程動作時，將有更多的載流子carrier經由較長溝道注入間隙壁的電荷抓取層。因此，本發明的存儲單元可更有效率的進行編程動作，并縮短編程動作的時間。
本發明授權非揮發性存儲器的存儲單元在權利要求書中公布了：1.一種非揮發性存儲器的存儲單元，該存儲單元具有存儲元件，該存儲元件包括：阱區；柵極結構，形成于該阱區的表面上，且該柵極結構包括至少一凸出部；間隙壁，圍繞于該柵極結構的側壁，且該間隙壁接觸該阱區的該表面，其中該間隙壁包括第一部分與第二部分；以及第一摻雜區與第二摻雜區，形成于該阱區的該表面下方，且該第一摻雜區與該第二摻雜區之間為溝道區域，該溝道區域包括第一溝道與第二溝道；其中，該柵極結構的該側壁包括多個表面，且該至少一凸出部的第一表面平行于該溝道區域中的溝道長度方向；其中，該第一溝道位于該柵極結構下方，該第二溝道位于該第一溝道與該第二摻雜區域之間，且該第一部分的該間隙壁位于該第二溝道上方；其中，該溝道區域還包括第三溝道，該第三溝道位于該第一溝道與該第一摻雜區之間，該第二部分的該間隙壁位于該第三溝道上方，且該第二溝道的長度大于該第三溝道的長度；其中，在編程動作時，多個載流子經由該第二溝道注入該第一部分的該間隙壁中的電荷抓取層。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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