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龍圖騰網(wǎng)恭喜福建師范大學(xué)申請(qǐng)的專利一種鈣鈦礦薄膜、制備及鈣鈦礦太陽(yáng)能電池獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114068815B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111231482.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10K71/12；該發(fā)明授權(quán)一種鈣鈦礦薄膜、制備及鈣鈦礦太陽(yáng)能電池是由衛(wèi)東;姚瑤;蔡慶瑞;李曉丹設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-10-22向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種鈣鈦礦薄膜、制備及鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供了一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，包括以下步驟：S1，將SnO2溶液旋涂到ITO基板上，然后在175?185℃條件下加熱25?35min，待冷卻到室溫，再用臭氧處理15?25min，得SnO2薄膜；S2，將含MABr的PbI2溶液旋涂在SnO2薄膜上，隨后在65?75℃溫度下退火0.8?1.2min，冷卻至室溫后，得PbI2薄膜；S3，將FAI溶液旋涂到PbI2薄膜上，接著在145?155℃溫度下退火8?12min，即可得到所述鈣鈦礦薄膜。該方法中，MABr抑制鈣鈦礦薄膜中PbI2的殘余，從而限制鈣鈦礦中離子遷移并從源頭減少鈣鈦礦薄膜缺陷態(tài)的產(chǎn)生，既可減小載流子在薄膜傳輸過(guò)程中的損失，保持高的載流子傳輸效率，又增加了鈣鈦礦薄膜穩(wěn)定性。

本發(fā)明授權(quán)一種鈣鈦礦薄膜、制備及鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：S1，將SnO2溶液旋涂到ITO基板上，然后在175-185℃條件下加熱25-35min，待冷卻到室溫，再用臭氧處理15-25min，得SnO2薄膜；S2，將含MABr的PbI2溶液旋涂在SnO2薄膜上，隨后在65-75℃溫度下退火0.8-1.2min，冷卻至室溫后，得PbI2薄膜；S3，將FAI溶液旋涂到PbI2薄膜上，接著在145-155℃溫度下退火8-12min，即可得到所述鈣鈦礦薄膜；所述SnO2溶液為SnO2膠體溶于去離子水形成，SnO2膠體和去離子水的體積比為1：4-6；步驟S1中，所述旋涂的轉(zhuǎn)速為6000rpm，所述旋涂的時(shí)間為25-35s；所述PbI2溶液為PbI2溶解到DMFDMSO溶液中形成；DMFDMSO的體積比為4：1；PbI2的濃度為1.2-1.8mmolml；所述MABr的濃度為0.005-0.05gml；步驟S2中，所述旋涂的轉(zhuǎn)速為4000rpm，所述旋涂的時(shí)間25-35s；所述FAI溶液為將FAI加入異丙醇中形成，其中FAI的濃度為10mgml，或者FAI和MACl混合到異丙醇中形成，其中FAI和MACl的總濃度為10mgml；步驟S3中，所述旋涂的轉(zhuǎn)速為4000rpm，所述旋涂的時(shí)間15-25s。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人福建師范大學(xué)，其通訊地址為：350007 福建省福州市倉(cāng)山區(qū)上三路8號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。