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龍圖騰網恭喜上海集成電路制造創新中心有限公司申請的專利可擦寫存儲器及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114220818B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111525709.X，技術領域涉及：H10B43/30；該發明授權可擦寫存儲器及其制造方法是由朱寶;尹睿;張衛設計研發完成，并于2021-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本可擦寫存儲器及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種可擦寫存儲器，包括襯底、阻擋層、第一異質結、第二異質結、隧穿層、溝道層、源極和漏極，所述阻擋層設置于所述襯底的頂面；第一異質結和第二異質結具有單向導通電荷特性，第一異質結和第二異質結分別用于可擦寫存儲器的數據寫入操作和數據擦除操作；隧穿層包括水平部和豎直部，豎直部用于隔斷第一異質結和第二異質結，以避免第一異質結和第二異質結的橫向電荷導通；溝道層用于電荷的遷移。采用兩個異質結分別作為可擦寫存儲器的數據寫入和數據擦除通道，使得可擦寫存儲器的數據寫入和數據擦除更加穩定和對稱，提高了數據擦除和數據寫入速度，降低了動態功耗。本發明還提供了一種所述可擦寫存儲器的制作方法。

本發明授權可擦寫存儲器及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種可擦寫存儲器，其特征在于，包括襯底、阻擋層、第一異質結、第二異質結、隧穿層、溝道層、源極和漏極；所述襯底作為所述可擦寫存儲器的柵極；所述阻擋層設置于所述襯底的頂面；所述第一異質結和所述第二異質結分別設置于所述阻擋層頂面相對的兩端，所述第一異質結和所述第二異質結具有單向導通電荷特性，且所述第一異質結的電荷導通方向與所述第二異質結的電荷導通方向相反，所述第一異質結和所述第二異質結分別用于所述可擦寫存儲器的數據寫入操作和數據擦除操作；所述隧穿層包括水平部和豎直部，所述水平部覆蓋于所述第一異質結和所述第二異質結的頂面，所述豎直部用于隔斷所述第一異質結和所述第二異質結，以避免所述第一異質結和所述第二異質結的橫向電荷導通；所述溝道層覆蓋于所述隧穿層頂面，用于電荷的遷移；所述溝道層源極和所述漏極分別設置于所述溝道層頂面相對的兩端。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海集成電路制造創新中心有限公司，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區碧波路690號401-23室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。