恭喜復旦大學;上海集成電路制造創新中心有限公司丁榮正獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜復旦大學;上海集成電路制造創新中心有限公司申請的專利靜態隨機存取存儲器結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114203705B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111528267.4，技術領域涉及：H10B10/00；該發明授權靜態隨機存取存儲器結構是由丁榮正;俞少峰;朱小娜;朱寶;尹睿設計研發完成，并于2021-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本靜態隨機存取存儲器結構在說明書摘要公布了：本發明提供了一種靜態隨機存取存儲器結構，包括多個呈陣列分布的晶體管單元，同一行所述晶體管單元沿第一方向依次設置，所述晶體管單元包括沿所述第一方向依次設置的第一傳輸管、第一共柵互補場效應晶體管、第二共柵互補場效應晶體管和第二傳輸管，所述第一傳輸管的溝道方向、第一共柵互補場效應晶體管溝道方向、第二共柵互補場效應晶體管的溝道方向和第二傳輸管的溝道方向均平行于所述第一方向，所述晶體管單元的第二傳輸管與在所述第一方向上相鄰的所述晶體管單元的第一傳輸管堆疊設置在一起形成共柵結構，能夠減少第一傳輸管和所述第二傳輸管所占的面積，提高電路集成度，并降低制造成本。
本發明授權靜態隨機存取存儲器結構在權利要求書中公布了：1.一種靜態隨機存取存儲器結構，其特征在于，包括多個呈陣列分布的晶體管單元，同一行所述晶體管單元沿第一方向依次設置，所述晶體管單元包括沿所述第一方向依次設置的第一傳輸管、第一共柵互補場效應晶體管、第二共柵互補場效應晶體管和第二傳輸管，所述第一傳輸管的溝道方向、第一共柵互補場效應晶體管溝道方向、第二共柵互補場效應晶體管的溝道方向和第二傳輸管的溝道方向均平行于所述第一方向，所述晶體管單元的第二傳輸管與在所述第一方向上相鄰的所述晶體管單元的第一傳輸管堆疊設置在一起形成共柵結構。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人復旦大學;上海集成電路制造創新中心有限公司，其通訊地址為：200433 上海市浦東新區張衡路825號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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