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龍圖騰網恭喜成都亞光電子股份有限公司申請的專利一種金屬化孔薄膜電路及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114334808B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111659807.2，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權一種金屬化孔薄膜電路及其制備方法是由程吉霖;聶源;鐘懷磊;劉旭設計研發完成，并于2021-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種金屬化孔薄膜電路及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種金屬化孔薄膜電路及其制備方法。本發明提供的金屬化孔薄膜電路的制備方法，通過進行單獨金屬化，延長工序，不限制單工序產能負擔，使得生產產能與無金屬化孔生產產能一致，該方面可以正式應用于產業化，工藝余量較大，較容易進行大批量化工藝生產；再者，通過單獨對孔進行金屬化處理，減少同時金屬金屬化孔其他刻蝕工藝的影響，提高了薄膜電路金屬孔的耐溫性；由于本發明使用夾具為通用夾具，相對于選擇性電鍍利用光刻夾具每種金屬化孔圖形都需要做一種夾具而言，本發明能夠在不使用夾具基礎上，滿足現有設計規則要求的金屬化孔制備。

本發明授權一種金屬化孔薄膜電路及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種金屬化孔薄膜電路的制備方法，包括以下步驟：A在陶瓷基片上用激光進行打孔，并清洗；B在步驟A得到的陶瓷基片的正面和背面沉積氮化鉭薄膜，在所述氮化鉭薄膜上依次濺射第一鈦鎢薄膜和第一金薄膜，得到復合陶瓷基片；C采用選擇性電鍍工藝制作薄膜電路，經過噴膠或勻膠工藝后，在步驟B得到的復合陶瓷基片正面和金屬化孔內覆蓋有光刻膠，將金屬化孔和非圖形區域進行遮蓋處理，曝光后，使薄膜電路進行選擇性顯影，孔內壁光刻膠以及非圖形區域的光刻膠未被顯影；D選擇性顯影完成后，置于電鍍金溶液中進行電鍍金，使得光刻膠被去除的區域覆蓋電鍍金層；E除去孔內壁光刻膠以及非圖形區域的光刻膠，并對所述金屬化孔區域和非圖形區域進行刻蝕，除去所述金屬化孔區域和非圖形區域的金屬層；F在步驟E得到的薄膜電路基片正面和金屬化孔內壁依次濺射第二鈦鎢薄膜和第二金薄膜；G將步驟F得到的薄膜電路基片兩面進行全板電鍍金工藝；H在步驟G得到的薄膜電路基片正面利用干膜作為光阻進行曝光顯影，使得孔區域顯影，其他區域被干膜覆蓋，然后進行電鍍鎳，電鍍鎳完成后將表面干膜除去；I用碘和碘化鉀混合水溶液配置的金腐蝕液刻蝕掉步驟H得到的薄膜電路基片正面的電鍍金層，用鈦鎢腐蝕液濕法刻蝕掉設計圖形之外不需要的鈦鎢薄膜，用鎳腐蝕液除去薄膜電路基片背面以及孔內壁的電鍍鎳層，得到金屬化孔薄膜電路。

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