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龍圖騰網恭喜安徽大學;合肥市微電子研究院有限公司;合肥海圖微電子有限公司申請的專利一種基于極性加固技術的SRAM存儲電路獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114429774B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210081246.0，技術領域涉及：G11C11/412；該發(fā)明授權一種基于極性加固技術的SRAM存儲電路是由彭春雨;強斌;盧文娟;趙強;郝禮才;藺智挺;吳秀龍設計研發(fā)完成，并于2022-01-24向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種基于極性加固技術的SRAM存儲電路在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種基于極性加固技術的SRAM存儲電路，包括四個PMOS晶體管和十個NMOS晶體管，PMOS晶體管P1、P2作為上拉管，PMOS晶體管P3和P4交叉耦合；NMOS晶體管N3、N4、N5、N6作為下拉管，NMOS晶體管N5和N6交叉耦合；主存儲節(jié)點Q和QN通過NMOS晶體管N7與N8分別與位線BL和BLB相連，冗余存儲節(jié)點S0與S1通過NMOS晶體管N9與N10分別與位線BL和BLB相連；位線BL與NMOS晶體管N7與N9的源極電連接，位線BLB與NMOS晶體管N8與N10的源極電連接。利用該結構的存儲電路可以提高存儲單元寫速度、降低單元功耗，并提高單元抗單粒子翻轉SEU的能力。

本發(fā)明授權一種基于極性加固技術的SRAM存儲電路在權利要求書中公布了：1.一種基于極性加固技術的SRAM存儲電路，其特征在于，所述電路包括四個PMOS晶體管和十個NMOS晶體管，四個PMOS晶體管依次記為P1～P4，十個NMOS晶體管依次記為N1～N10，其中：PMOS晶體管P3的柵極與PMOS晶體管P4的漏極相連接，同時PMOS晶體管P4的柵極與PMOS晶體管P3的漏極相連接，即P3、P4形成MOS管的交叉耦合結構；NMOS晶體管N5和N6交叉耦合，主存儲節(jié)點Q和QN分別連接NMOS晶體管的N2、N1的柵極；PMOS晶體管P3連接到主存儲節(jié)點Q，PMOS晶體管P4的漏極連接到主存儲節(jié)點QN，故PMOS晶體管P1、P3、P2、P4起到主存儲節(jié)點Q、QN上拉晶體管的作用；NMOS晶體管N3的漏極與主存儲節(jié)點Q相連接，NMOS晶體管N4的漏極與主存儲節(jié)點QN相連接，故NMOS晶體管N3、N4起到主存儲節(jié)點Q、QN下拉晶體管的作用；NMOS晶體管N1的源極與冗余存儲節(jié)點S0相連接，NMOS晶體管N2的源極與冗余存儲節(jié)點S1相連接，故NMOS晶體管N1、N2起到冗余存儲節(jié)點S0、S1上拉晶體管的作用；NMOS晶體管N5的漏極與冗余存儲節(jié)點S0相連接、NMOS晶體管N6的漏極與冗余存儲節(jié)點S1相連接，故NMOS晶體管N5、N6起到冗余存儲節(jié)點S0、S1下拉晶體管的作用；主存儲節(jié)點Q通過NMOS晶體管N7與位線BL相連，主存儲節(jié)點QN通過NMOS晶體管N8與位線BLB相連，冗余存儲節(jié)點S0通過NMOS晶體管N9與位線BL相連，冗余存儲節(jié)點S1通過NMOS晶體管N10與位線BLB相連，其中：NMOS晶體管N7、N8、N9、N10由字線WL控制；位線BL與NMOS晶體管N7與N9的源極電連接，位線BLB與NMOS晶體管N8與N10的源極電連接；字線WL與NMOS晶體管N7、N8、N9、N10的柵極電連接；NMOS晶體管N7的漏極與NMOS晶體管N3的漏極電連接，NMOS晶體管N8的漏極與NMOS晶體管N4的漏極電連接；NMOS晶體管N9的漏極與NMOS晶體管N6的漏極電連接，NMOS晶體管N10的漏極與NMOS晶體管N5的漏極電連接；電源VDD與PMOS晶體管P1、P2的源極，以及NMOS晶體管N1、N2的漏極電連接；NMOS晶體管N3、N4、N5、N6的源極均接地；其中，各晶體管的具體連接關系為：PMOS晶體管P1的漏極與PMOS晶體管P3的源極電連接，并且PMOS晶體管P1的柵極與NMOS晶體管N1的源極、NMOS晶體管N3的柵極、NMOS晶體管N5的漏極、NMOS晶體管N6的柵極電連接；PMOS晶體管P2的漏極與PMOS晶體管P4的源極電連接，并且PMOS晶體管P2的柵極與NMOS晶體管N2的源極、NMOS晶體管N4的柵極、NMOS晶體管N5的柵極、NMOS晶體管N6的漏極電連接；PMOS晶體管P3的漏極與NMOS晶體管N3的漏極、PMOS晶體管P4的柵極、NMOS晶體管N2的柵極電連接，并且PMOS晶體管P3的柵極與NMOS晶體管N1的柵極、NMOS晶體管N4的漏極電連接；PMOS晶體管P4的漏極與NMOS晶體管N4的漏極、PMOS晶體管P3的柵極、NMOS晶體管N1的柵極電連接，并且PMOS晶體管P4的柵極與NMOS晶體管N2的柵極、NMOS晶體管N3的漏極電連接；NMOS晶體管N1的源極與PMOS晶體管P1的柵極、NMOS晶體管N3的柵極、NMOS晶體管N5的漏極、NMOS晶體管N6的柵極電連接，并且NMOS晶體管N1的柵極與PMOS晶體管P3的柵極、NMOS晶體管N4的漏極電連接；NMOS晶體管N2的源極與PMOS晶體管P2的柵極、NMOS晶體管N4的柵極、NMOS晶體管N5的柵極、NMOS晶體管N6的漏極電連接，并且NMOS晶體管N2的柵極與PMOS晶體管P3的柵極、NMOS晶體管N4的漏極電連接；NMOS晶體管N3的漏極與PMOS晶體管P4的柵極、NMOS晶體管N2的柵極電連接，并且NMOS晶體管N3的柵極與PMOS晶體管P1的柵極、NMOS晶體管N1的源極、NMOS晶體管N5的漏極、NMOS晶體管N6的柵極電連接；NMOS晶體管N4的漏極與PMOS晶體管P3的柵極、NMOS晶體管N1的柵極電連接，并且NMOS晶體管N4的柵極與PMOS晶體管P2的柵極、NMOS晶體管N2的源極、NMOS晶體管N5的柵極、NMOS晶體管N6的漏極電連接；NMOS晶體管N5的漏極與NMOS晶體管N1的源極、PMOS晶體管P1的柵極、NMOS晶體管N3的柵極、NMOS晶體管N6的柵極電連接，并且NMOS晶體管N5的柵極與PMOS晶體管P2的柵極、NMOS晶體管N2的源極、NMOS晶體管N4的柵極、NMOS晶體管N6的漏極電連接；NMOS晶體管N6的漏極與NMOS晶體管N2的源極、PMOS晶體管P2的柵極、NMOS晶體管N4的柵極、NMOS晶體管N5的柵極電連接，并且NMOS晶體管N6的柵極與PMOS晶體管P1的柵極、NMOS晶體管N1的源極、NMOS晶體管N4的柵極、NMOS晶體管N5的漏極電連接。

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