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龍圖騰網恭喜江西兆馳半導體有限公司申請的專利發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119545991B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510081172.4，技術領域涉及：H10H20/812；該發明授權發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管是由舒俊;高虹;鄭文杰;張彩霞;劉春楊;胡加輝;金從龍設計研發完成，并于2025-01-20向國家知識產權局提交的專利申請。

本發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管在說明書摘要公布了：本發明公開了一種發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管，涉及半導體技術領域。發光二極管外延片包括襯底、緩沖層、N型半導體層、低溫應力釋放層、多量子阱發光層、電子阻擋層和P型半導體層；多量子阱發光層包括依次層疊的第一子層、第二子層、第三子層和第四子層，第一子層、第二子層、第三子層和第四子層均包括周期性交替層疊的InGaN量子阱層和GaN量子壘層；第一子層的GaN量子壘層、第二子層的GaN量子壘層、第三子層的GaN量子壘層中的至少一個插入有電子注入層；第四子層的GaN量子壘層中插入有空穴注入層。實施本發明，可以提高多量子阱發光層的電子空穴匹配度，從而提高發光二極管的光效。

本發明授權發光二極管外延片及其制備方法、發光二極管在權利要求書中公布了：1.一種發光二極管外延片，其特征在于，包括襯底，及依次層疊在所述襯底上的緩沖層、N型半導體層、低溫應力釋放層、多量子阱發光層、電子阻擋層和P型半導體層；所述多量子阱發光層包括依次層疊的第一子層、第二子層、第三子層和第四子層，所述第一子層、第二子層、第三子層和第四子層均包括周期性交替層疊的InGaN量子阱層和GaN量子壘層；所述第一子層交替層疊的周期數為2~4，所述第二子層交替層疊的周期數為2~6，所述第三子層交替層疊的周期數為2~5，所述第四子層交替層疊的周期數為2；所述第一子層、第二子層和第三子層的GaN量子壘層中均插入有電子注入層；所述電子注入層包括依次層疊的第一AlGaN保護層、GaN電子注入層和第二AlGaN保護層；所述GaN電子注入層為Si摻雜的GaN電子注入層，Si摻雜濃度為2.2×1017cm-3~9.7×1017cm-3；所述第四子層的GaN量子壘層中插入有空穴注入層，所述空穴注入層包括周期性交替層疊的InGaN空穴注入層和AlGaN空穴注入層，所述空穴注入層交替層疊的周期數為2~5；所述InGaN空穴注入層為Mg摻雜的InGaN空穴注入層，In組分占比為0.01~0.08，Mg摻雜濃度為2.5×1018cm-3~6.2×1019cm-3；每個子層中，所述第一AlGaN保護層的Al組分占比與所述第二AlGaN保護層的Al組分占比相等；從所述第一子層到所述第三子層，所述第一AlGaN保護層的Al組分占比遞減；從所述第一子層到所述第三子層，所述GaN電子注入層的Si摻雜濃度遞減。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人江西兆馳半導體有限公司，其通訊地址為：330000 江西省南昌市南昌高新技術產業開發區天祥北大道1717號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。