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龍圖騰網(wǎng)恭喜合肥晶合集成電路股份有限公司申請(qǐng)的專利一種半導(dǎo)體器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119584629B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-27發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510121602.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/03；該發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制備方法是由王文智;張國偉;王建智設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-01-26向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種半導(dǎo)體器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，半導(dǎo)體器件的制備方法包括以下步驟：提供一襯底，襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，并在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中形成漏極摻雜區(qū)和源極摻雜區(qū)；在源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)的襯底上形成外延層，并將外延層金屬化，以形成導(dǎo)電接觸層，導(dǎo)電接觸層的表面與柵極結(jié)構(gòu)的表面齊平；在導(dǎo)電接觸層和柵極結(jié)構(gòu)上形成層間介電層，并在層間介電層中形成導(dǎo)電接觸孔，導(dǎo)電接觸孔貫通層間介電層并分別與導(dǎo)電接觸層和柵極結(jié)構(gòu)接觸，以使得柵極結(jié)構(gòu)、源極和漏極處于同一水平面，可以降低接觸孔光刻和刻蝕工藝的工藝難度，并解決接觸孔刻蝕出現(xiàn)的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種半導(dǎo)體器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：提供一襯底，所述襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，并在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中分別形成有漏極摻雜區(qū)和源極摻雜區(qū)；在所有所述源極摻雜區(qū)和漏極摻雜區(qū)的襯底上形成外延層，并將所述外延層金屬化，以形成導(dǎo)電接觸層，其中，所述導(dǎo)電接觸層的表面與所述柵極結(jié)構(gòu)的表面齊平，所述外延層的高度與所述柵極結(jié)構(gòu)的高度相同；在所述導(dǎo)電接觸層和所述柵極結(jié)構(gòu)上形成層間介電層，并在所述層間介電層中形成多個(gè)導(dǎo)電接觸孔，所有所述導(dǎo)電接觸孔貫通所述層間介電層并分別與所述導(dǎo)電接觸層和柵極結(jié)構(gòu)接觸。

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