恭喜北京懷柔實驗室郝夏敏獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室申請的專利半導體器件的終端結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119562577B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510126676.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權半導體器件的終端結構及其制備方法是由郝夏敏;金銳;和峰;李翠;聶瑞芬;田寶華;劉江設計研發完成，并于2025-01-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體器件的終端結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種半導體器件的終端結構及其制備方法，終端結構包括：漂移層，位于襯底的一側，具有第一摻雜類型；第一外延層，位于漂移層背離襯底的一側，具有第二摻雜類型；多個第一摻雜區，間隔的位于第一外延層中，具有第一摻雜類型。通過在漂移層上設置濃度均勻的第一外延層，以使在第一外延層中設置第一摻雜區之后，將第一外延層分割為多個部分，多個部分第一外延層形成終端結構的場限環，外延層的厚度容易控制，且摻雜濃度均勻。對半導體器件的終端結構的摻雜區域的摻雜濃度進行優化，可以調節表面電場的橫向和縱向擴展，提高了半導體終端的耐壓水平。解決了由于半導體器件的終端結構處的摻雜濃度不好控制導致半導體器件耐壓能力差的問題。
本發明授權半導體器件的終端結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的終端結構，其特征在于，包括：襯底；漂移層，位于所述襯底的一側，具有第一摻雜類型；第一外延層，位于所述漂移層背離所述襯底的一側，所述第一外延層的摻雜濃度為1E15~5E19cm-3，具有第二摻雜類型，所述第一摻雜類型與所述第二摻雜類型相反；多個第一摻雜區，間隔的位于所述第一外延層中，以將所述第一外延層分割為多個部分，具有第一摻雜類型，所述第一摻雜區的摻雜濃度為1E17~1E21cm-3，所述多個部分的所述第一外延層形成終端結構的場限環。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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