恭喜天津中科晶禾電子科技有限責任公司母鳳文獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜天津中科晶禾電子科技有限責任公司申請的專利一種臨時鍵合及解鍵合的方法、復合襯底的制備方法及晶圓的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119626973B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510147202.7，技術領域涉及：H01L21/683；該發明授權一種臨時鍵合及解鍵合的方法、復合襯底的制備方法及晶圓的制造方法是由母鳳文;馮策;譚向虎;劉福超設計研發完成，并于2025-02-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種臨時鍵合及解鍵合的方法、復合襯底的制備方法及晶圓的制造方法在說明書摘要公布了：本發明屬于半導體加工制造領域，本發明提供了一種臨時鍵合及解鍵合的方法、復合襯底的制備方法及晶圓的制造方法，所述臨時鍵合及解鍵合的方法包括在兩個硅襯底上形成氧化硅層，對氧化硅層進行離子注入、氫氟酸處理及等離子體活化，通過親水性鍵合實現兩個硅襯底的臨時鍵合，再通過解鍵合退火，使得臨時鍵合界面開裂，實現解鍵合。該方法無需使用鍵合介質，且能保持兩個襯底的熱學性能一致，有效避免翹曲和破碎；臨時鍵合的強度高、穩定性好，利用該方法能夠實現功能襯底的大幅度減薄，從而制備得到復合襯底或進一步用于制造多層晶圓鍵合結構。
本發明授權一種臨時鍵合及解鍵合的方法、復合襯底的制備方法及晶圓的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種臨時鍵合及解鍵合的方法，其特征在于，包括如下步驟：A1.提供兩個硅襯底，在所述硅襯底的一側形成氧化硅層；A2.依次對所述氧化硅層進行離子注入、氫氟酸處理及等離子體活化，形成臨時鍵合面；A3.將所述臨時鍵合面相接觸，進行親水性鍵合，再進行強化退火，使兩個所述硅襯底形成臨時鍵合體，完成臨時鍵合；A4.將所述臨時鍵合體進行解鍵合退火，使兩個硅襯底的氧化硅層在臨時鍵合界面處相分離，完成解鍵合。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人天津中科晶禾電子科技有限責任公司，其通訊地址為：300451 天津市濱海新區塘沽海洋科技園新北路4668號創新創業園22-A號廠房二層C角；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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