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龍圖騰網恭喜金陽(泉州)新能源科技有限公司申請的專利一種背接觸太陽電池及其制備方法、電池組件獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119894108B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510353011.6，技術領域涉及：H10F10/14；該發明授權一種背接觸太陽電池及其制備方法、電池組件是由林楷睿;許志設計研發完成，并于2025-03-25向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種背接觸太陽電池及其制備方法、電池組件在說明書摘要公布了：本發明涉及太陽電池技術領域，提供了一種背接觸太陽電池及其制備方法、電池組件，該背接觸太陽電池通過調試背面掩膜層的工藝，使得硅片正面邊緣也繞鍍成膜形成一定寬度的掩膜層，且膜層厚度由硅片邊緣向內逐漸減薄，這種特殊的繞鍍設計，可以讓硅片正面中間70%~90%面積形成大金字塔絨面而硅片邊緣10%~30%面積形成小金字塔絨面的效果，從而使得大尺寸硅片的邊緣為小金塔絨面且邊緣保持較厚硅片狀態并對金字塔進行圓滑處理，有利于在制作工藝中降低破片率，提高生產良率。

本發明授權一種背接觸太陽電池及其制備方法、電池組件在權利要求書中公布了：1.一種背接觸太陽電池，其特征在于，包括：具有正面和背面的硅片；所述硅片的正面包括繞鍍區和制絨區，所述繞鍍區位于所述硅片的邊緣，所述制絨區被所述繞鍍區包圍；所述繞鍍區的厚度由硅片的邊緣向靠近制絨區的方向逐漸減小，且所述繞鍍區被制絨清洗后形成第一制絨表面，所述制絨區被制絨清洗后形成第二制絨表面，所述第一制絨表面的凸起程度小于所述第二制絨表面的凸起程度；第一半導體層，布置在所述硅片的背面，所述第一半導體層包括依次形成于所述硅片背面的隧穿氧化硅層與N型摻雜多晶硅層；第一半導體層被多個第二半導體開口區隔斷，所述第二半導體開口區以及所述第二半導體開口區周邊的第一半導體層表面均覆蓋有第二半導體層；相鄰的所述第二半導體開口區之間設有第一半導體開口區，所述第一半導體開口區將所述第二半導體層隔斷；鈍化層和減反層，所述鈍化層和減反層依次布置在所述硅片的正面；其中，覆蓋在所述繞鍍區的所述鈍化層和所述減反層的表面形成第一表面結構，覆蓋在所述制絨區的所述鈍化層和所述減反層的表面形成第二表面結構，所述第一表面結構的凸起幅度小于所述第二表面結構的凸起幅度；所述第一制絨表面包括多個第一金字塔結構，所述第二制絨表面包括多個第二金字塔結構；所述第一金字塔結構的高度小于所述第二金字塔結構的高度。

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