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龍圖騰網恭喜北京懷柔實驗室申請的專利門極換流晶閘管和半導體器件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN222916503U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-27發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202520622083.1，技術領域涉及：H10D18/65；該實用新型門極換流晶閘管和半導體器件是由李玲;劉瑞;王耀華;唐新靈;高明超;焦倩倩;吳沛飛;魏曉光設計研發完成，并于2025-04-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本門極換流晶閘管和半導體器件在說明書摘要公布了：本申請提供了門極換流晶閘管和半導體器件，門極換流晶閘管包括：第一基區；第二基區，位于第一基區的表面上，第二基區的摻雜類型與第一基區的摻雜類型不同；第三基區，位于第二基區的遠離第一基區的表面上，第三基區的摻雜類型與第二基區的摻雜類型相同；第一發射區，位于第三基區的遠離第一基區的一側，第一發射區的摻雜類型與第一基區的摻雜類型相同；至少兩個摻雜區，摻雜區至少位于第三基區中和第二基區中，摻雜區與第一發射區不接觸，摻雜區的摻雜類型與第二基區相同，摻雜區的摻雜濃度大于第二基區的摻雜濃度，摻雜區的摻雜濃度大于第三基區的摻雜濃度。本申請解決了現有GCT芯片中門極換流晶閘管的關斷能力較差的問題。

本實用新型門極換流晶閘管和半導體器件在權利要求書中公布了：1.一種門極換流晶閘管，其特征在于，包括：第一基區；第二基區，位于所述第一基區的表面上，所述第二基區的摻雜類型與所述第一基區的摻雜類型不同；第三基區，位于所述第二基區的遠離所述第一基區的表面上，所述第三基區的摻雜類型與所述第二基區的摻雜類型相同，所述第三基區的摻雜濃度大于所述第二基區的摻雜濃度；第一發射區，位于所述第三基區的遠離所述第一基區的一側，所述第一發射區的摻雜類型與所述第一基區的摻雜類型相同；至少兩個摻雜區，所述摻雜區至少位于所述第三基區中和所述第二基區中，所述摻雜區與所述第一發射區不接觸，所述摻雜區的摻雜類型與所述第二基區相同，所述摻雜區的摻雜濃度大于所述第二基區的摻雜濃度，所述摻雜區的摻雜濃度大于所述第三基區的摻雜濃度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京懷柔實驗室，其通訊地址為：101400 北京市懷柔區楊雁東一路8號院5號樓319室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。