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恭喜歐司朗OLED股份有限公司D.萊森獲國家專利權

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龍圖騰網(wǎng)恭喜歐司朗OLED股份有限公司申請的專利用于制造光電子部件的方法獲國家發(fā)明授權專利權,本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予,授權公告號為:CN111542932B

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉:該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為:201880050436.8,技術領域涉及:H10H20/01;該發(fā)明授權用于制造光電子部件的方法是由D.萊森;C.韋斯曼;H.布倫納;L.派克;E.迪努;A.林科夫;J.埃伯哈德;C.凱特;M.平德爾;T.雷斯溫克爾;D.里希特設計研發(fā)完成,并于2018-07-31向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

用于制造光電子部件的方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明涉及一種用于制造光電子部件的方法,包括以下方法步驟:提供具有頂側的支撐件。將光電子半導體芯片布置在所述支撐件的所述頂側之上。此外,將灌封材料布置在所述支撐件的所述頂側之上,將所述光電子半導體芯片嵌入到所述灌封材料中。所述灌封材料形成灌封表面。在所述灌封表面處去除一部分灌封材料。在這種情況下,在所述灌封表面處生成形貌。

本發(fā)明授權用于制造光電子部件的方法在權利要求書中公布了:1.一種用于制造光電子部件10的方法,具有以下方法步驟:-提供具有上側21的載體20;-在所述載體20的所述上側21之上布置光電子半導體芯片30;-在所述載體20的所述上側21上方布置澆鑄材料40,其中將所述光電子半導體芯片30嵌入在所述澆鑄材料40中,其中所述澆鑄材料40形成鑄件表面41;-去除所述鑄件表面41處的一部分所述澆鑄材料40,其中在所述鑄件表面41處生成形貌,其中去除所述鑄件表面41處的一部分所述澆鑄材料40是通過激光干涉結構化來進行的,其中在所述鑄件表面41處生成干涉圖案,并且無論干涉最大值存在于何處都在所述鑄件表面41處發(fā)生局部燒蝕過程,其中在兩階段過程中生成具有不同周期性的兩個干涉圖案,其中借助于第一干涉圖案將微結構施加到所述鑄件表面41上,其中借助于第二干涉圖案將覆蓋在所述微結構上的亞微結構或納米結構施加到所述鑄件表面41上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人歐司朗OLED股份有限公司,其通訊地址為:德國雷根斯堡;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。

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