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龍圖騰網恭喜長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體器件及其制備方法、封裝件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111244054B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811434025.7，技術領域涉及：H01L23/482；該發明授權半導體器件及其制備方法、封裝件及其制備方法是由吳秉桓;汪美里設計研發完成，并于2018-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制備方法、封裝件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明半導體技術領域，提出一種半導體器件，該半導體器件包括堆疊結構以及電極；堆疊結構至少包含一個芯片；電極位于堆疊結構的側表面，電極在芯片厚度方向的長度大于或等于芯片的厚度。該半導體器件避免采用微凸起連接，使堆疊結構的厚度減薄，有利于實現薄型化。電極設于堆疊結構的側表面，不必在布線層設置連接處，設計電路時不必考慮預留連接位置，不會造成芯片上電路布局設置的限制。電極在芯片厚度方向的長度大于或等于芯片的厚度，便于連接多個芯片上的電路。

本發明授權半導體器件及其制備方法、封裝件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件，其特征在于，包括：堆疊結構，所述堆疊結構包括多個芯片，所述芯片包括電路區和密封區，在所述電路區具有第一硅穿孔，在所述密封區具有第二硅穿孔；所述芯片包括第一芯片和第二芯片，第一子芯片、第二子芯片以及第三子芯片形成所述第二芯片，在每層所述芯片上均設置有布線層，所述第一芯片上的布線層為第一布線層，所述第一子芯片上的布線層為第二布線層，所述第二子芯片上的布線層為第三布線層，所述第三子芯片上的布線層為第四布線層；所述第一硅穿孔連接所述第一布線層、所述第二布線層、所述第三布線層以及所述第四布線層；電極，位于所述堆疊結構的側表面，去除部分所述密封區以及部分所述第二硅穿孔直至所述第二硅穿孔的直徑處，暴露出的所述第二硅穿孔形成所述電極；所述電極包括第一電極、第二電極、第三電極、第四電極以及第五電極，所述第一電極通過所述第一布線層電連接至第一信號端，所述第二電極通過所述第二布線層電連接至第二信號端，所述第一布線層的第三信號端、所述第二布線層的第三信號端、所述第三布線層的第三信號端以及所述第四布線層的第三信號端通過所述第一硅穿孔電連接，然后連接至所述第三電極，所述第四電極通過所述第四布線層電連接至第四信號端，所述第五電極通過所述第三布線層電連接至第五信號端。

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