恭喜日立能源有限公司柳春雷獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜日立能源有限公司申請的專利功率半導體模塊獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114175222B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202080053766.X,技術領域涉及:H01L21/60;該發明授權功率半導體模塊是由柳春雷;F·莫恩;D·托雷辛;E·梅諾蒂設計研發完成,并于2020-07-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本功率半導體模塊在說明書摘要公布了:本發明涉及一種將端子22連接到基板12以形成功率半導體模塊10的方法,其中,端子22具有由第一材料形成的第一連接區域28,并且其中,基板12具有由第二材料形成的第二連接區域30,其中,第一材料具有第一硬度,并且其中,第二材料具有第二硬度,其中,第一硬度不同于第二硬度,其中,具有較高硬度的這種第一連接區域28或第二連接區域30形成連接配合區域,并且具有較低硬度的第一連接區域28或第二連接區域30形成連接基部區域,并且其中,通過使用超聲波焊接或激光焊接將端子22連接到基板12,其特征在于,在將端子22連接到基板12之前,該方法包括提供連接層32的步驟,該連接層具有由硬度與連接配合區域的硬度對應的材料形成的表面子層,其中,連接層32設置在連接基部區域上,并且其中,表面子層面向連接配合區域。
本發明授權功率半導體模塊在權利要求書中公布了:1.一種將端子22連接到基板12以形成功率半導體模塊10的方法,其中,所述端子22具有由第一材料形成的第一連接區域28,并且其中,所述基板12具有由第二材料形成的第二連接區域30,其中,所述第一材料具有第一硬度,并且其中,所述第二材料具有第二硬度,其中,所述第一硬度不同于所述第二硬度,其中,具有較高硬度的這種第一連接區域28或第二連接區域30形成連接配合區域,并且,具有較低硬度的這種第一連接區域28或第二連接區域30形成連接基部區域,并且其中,通過使用超聲波焊接或激光焊接將所述端子22連接到所述基板12,其特征在于,在將所述端子22連接到所述基板12之前,所述方法包括提供連接層32的步驟,所述連接層具有由硬度與所述連接配合區域的硬度對應的材料形成的表面子層,其中,所述連接層32設置在所述連接基部區域上,并且其中,所述表面子層面向所述連接配合區域,其中,所述連接層32形成為除了所述表面子層之外還包括基部子層,其中,所述基部子層與所述連接基部區域直接相鄰地放置,使得所述表面子層包括所述連接配合區域的材料并且所述基部子層包括所述連接基部區域的材料。
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