恭喜美光科技公司金柄徹獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜美光科技公司申請的專利具有垂直間隔的溝道材料區段的集成組合件及其形成方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112420727B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010809570.0，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權具有垂直間隔的溝道材料區段的集成組合件及其形成方法是由金柄徹;F·H·法布勒蓋特;R·J·希爾;S·索爾斯設計研發完成，并于2020-08-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有垂直間隔的溝道材料區段的集成組合件及其形成方法在說明書摘要公布了：本申請案涉及具有垂直間隔的溝道材料區段的集成組合件，以及形成集成組合件的方法。所述導電層級包含控制柵極區域及接近于所述控制柵極區域的第二區域。高k介電結構直接抵靠所述控制柵極區域，且完全橫跨所述絕緣層級延伸。電荷阻擋材料鄰近于所述高k介電結構。電荷存儲材料鄰近于所述電荷阻擋材料。所述電荷存儲材料經配置為區段，所述區段彼此上下垂直地堆疊，且其彼此垂直地間隔開。柵極介電材料鄰近于所述電荷存儲材料。溝道材料沿著所述堆疊垂直延伸，且鄰近于所述柵極介電材料。
本發明授權具有垂直間隔的溝道材料區段的集成組合件及其形成方法在權利要求書中公布了：1.一種集成結構，其包括：交替的絕緣層級及導電層級的垂直堆疊；所述導電層級具有端子區域，且具有接近所述端子區域的非端子區域；高k介電材料，其鄰近所述端子區域并橫跨所述絕緣層級垂直延伸；電荷阻擋材料，其鄰近所述端子區域；電荷存儲材料，其經布置成垂直堆疊的經間隔開區段；所述區段鄰近所述電荷阻擋材料并與所述導電層級橫向間隔，所述區段的一部分延伸穿過所述導電層級以與所述絕緣層級橫向間隔；柵極介電材料，其鄰近所述電荷存儲材料；溝道材料，其鄰近所述柵極介電材料；及其中所述高k介電材料直接接觸彼此垂直相鄰的所述導電層級中的兩個的端子區域，且完全橫跨所述垂直相鄰的導電層級之間的所述絕緣層級中的一個而延伸。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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