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龍圖騰網恭喜中國科學院上海技術物理研究所申請的專利一種范德瓦爾斯非對稱勢壘結構的紅外探測器及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112242455B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010965478.3，技術領域涉及：H10F30/21；該發明授權一種范德瓦爾斯非對稱勢壘結構的紅外探測器及制備方法是由胡偉達;陳允楓;王芳;王振;王鵬;汪洋;李慶;何家樂;謝潤章;張莉麗;陳效雙;陸衛設計研發完成，并于2020-09-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種范德瓦爾斯非對稱勢壘結構的紅外探測器及制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種范德瓦爾斯非對稱勢壘結構的紅外探測器及制備方法。所述探測器結構包括襯底、介質層、石墨烯層、二硫化鉬層、黑磷層和金屬源、漏電極。器件制備步驟是將機械剝離的石墨烯、二硫化鉬和黑磷依次轉移到具有介質層的襯底上，運用電子束曝光和熱蒸發等工藝分別在黑磷和石墨烯上制作金屬源、漏電極，形成了垂直結構的范德瓦爾斯單載流子紅外光電探測器。利用二維材料豐富的能帶結構和獨特的物理特性，設計了多子阻擋的非對稱勢壘能帶結構，可以對暗電流進行有效的抑制，進而實現了中波紅外的室溫黑體探測、偏振探測和紅外成像。該探測器具有室溫工作、多子阻擋、中波紅外響應、靈敏度高、響應快及黑體探測等特點。

本發明授權一種范德瓦爾斯非對稱勢壘結構的紅外探測器及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種范德瓦爾斯非對稱勢壘結構的紅外探測器，包括襯底（1），SiO2介質層（2），石墨烯層（3），二硫化鉬層（4），源極（5），黑磷層（7），漏極（6），其特征在于：所述的探測器的結構為：P型Si襯底（1）上有SiO2介質層（2），石墨烯層（3）局部覆蓋在SiO2介質層（2）上，在石墨烯層（3）一端覆蓋有二硫化鉬層（4），在石墨烯層（3）另一端有源極（5），黑磷層（7）覆蓋在二硫化鉬層（4）上及未與石墨烯層（3）接觸的SiO2介質層（2）部分，且黑磷層（7）和石墨烯層（3）沒有接觸,漏極（6）位于黑磷層（7）上；所述的襯底（1）是P型重摻雜的Si襯底；所述的SiO2介質層（2）厚度為280±10納米；所述的石墨烯（3）的厚度是5~10納米；所述的二硫化鉬（4）厚度是10~20納米；所述的源極（5）為Cr和Au電極，Cr在石墨烯層上厚度為15納米，Au在Cr上厚度為75納米；所述的黑磷層（7）厚度是40-150納米；所述的漏極（6）為Cr和Au電極，Cr在黑磷層上厚度為15納米，Au在Cr上厚度為75納米。

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