買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網恭喜杭州沃鐳智能科技股份有限公司申請的專利一種IGBT功率半導體測試設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112285516B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011041963.8，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權一種IGBT功率半導體測試設備是由郭斌;閆晗;趙靜;彭云良;王彥明;劉俊麗;方輝煌;陳濤設計研發完成，并于2020-09-28向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種IGBT功率半導體測試設備在說明書摘要公布了：本發明提供了一種IGBT功率半導體測試設備，涉及一種IGBT功率半導體測試技術。它解決了現有技術中測試設備的主回路會帶來不必要的雜散電感的問題。本IGBT功率半導體測試設備，包括IGBT雙脈沖測試電路，所述IGBT雙脈沖測試電路具有多級測試電感負載，IGBT雙脈沖測試電路的高壓電容為母排電容組，所述母排電容組由低感值儲能電容器通過疊層母排并聯而成，所述疊層母排電容組具有對稱的電容器連接口；每個低感值儲能電容器并聯高頻吸收電容，用以吸收測試過程中產生的電壓尖峰。本發明實現對IGBT等功率半導體模組的動態工作特性及損耗的測試，減小回路中雜散電感對測試結果的影響，提高整體的測試精度。

本發明授權一種IGBT功率半導體測試設備在權利要求書中公布了：1.一種IGBT功率半導體測試設備，包括IGBT雙脈沖測試電路，其特征在于，IGBT雙脈沖測試電路具有多級測試電感負載，IGBT雙脈沖測試電路的高壓電容為母排電容組，母排電容組由低感值儲能電容器通過疊層母排并聯而成，疊層母排電容組具有對稱的電容器連接口；每個低感值儲能電容器并聯高頻吸收電容，用以吸收測試過程中產生的電壓尖峰；高壓電容具有泄流回路，泄流回路包括高壓接觸器、耐高壓功率電阻，閉合高壓接觸器實現對母排電容組進行泄能，高壓接觸器實行常閉連接；多級測試電感負載的空心電感由特制的膜包線繞制而成，膜包線由1000股0.08mm的漆包線絞制而成，膜包線的外膜是由耐高溫的聚酰亞胺膜組成，聚酰亞胺膜雙面進行粘制處理；測試裝置的產品測試探針設置在針床下面，針床下方設置待測產品托盤，針床下方設置用于傳送待測產品的傳送帶，待測產品托盤具有支撐腿，待測產品托盤通過升降腿支撐在待測產品傳送軌道上，升降腿包括剪叉升降機構，剪叉升降機構上部的桿體的內側端部與伸縮裝置連接，剪叉升降機構上方的桿體的外側端部與導桿的端部鉸鏈連接，導桿滑動設置在導向座上，導向座固定在待測產品托盤上，伸縮裝置的伸縮方向與待測產品托盤移動方向垂直，待測產品傳送軌道上并列設置兩組傳送帶，剪叉升降機構支撐在腳輪上；多級測試電感負載為第一空心電感、第二空心電感、第三空心電感、第四空心電感一端共同連接至負載銅排上，第一空心電感的另一端連接到第一負載連接塊上，第二空心電感連接到第二負載連接塊上，第三空心電感連接到第三負載連接塊上，第四空心電感連接到第四負載連接塊上，第一負載連接塊、第二負載連接塊、第三負載連接塊、第四負載連接塊分別通過絕緣塊連接于銅排上；在負極銅排上方連接有與四個負載連接塊上端連接塊靜觸點對應的四個銅排靜觸點，在負極銅排下方連接有與四個負載連接塊下端連接塊靜觸點對應的四個銅排靜觸點，從而每個連接塊靜觸點與一個銅排靜觸點構成一個觸點對，對應每個觸點對設置有伸縮接觸塊，伸縮接觸塊上設置有與觸點對對應的兩個伸縮接觸塊觸點，伸縮接觸塊上兩個觸點電連接，接觸塊伸縮氣缸控制伸縮接觸塊相對銅排移動，實現連接塊靜觸點與銅排靜觸點電連接的通斷。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州沃鐳智能科技股份有限公司，其通訊地址為：310018 浙江省杭州市江干區杭州經濟技術開發區8號大街19號北房標準廠房東區10幢2層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。