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龍圖騰網(wǎng)恭喜芯恩(青島)集成電路有限公司申請(qǐng)的專利多閾值邏輯功率器件及制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114695534B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202011633780.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D64/27；該發(fā)明授權(quán)多閾值邏輯功率器件及制備方法是由季明華;周東楊;邱金朋;李鵬;劉聰慧設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-12-31向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本多閾值邏輯功率器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供一種多閾值邏輯功率器件及制備方法，通過接觸掩膜版的圖案化設(shè)計(jì)，可形成具有同一公共的溝槽柵極結(jié)構(gòu)的接觸結(jié)構(gòu)陣列，且可使得接觸結(jié)構(gòu)陣列中的接觸結(jié)構(gòu)的第二導(dǎo)電類型接觸部的邊緣與溝道邊緣之間具有不同的橫向間距，可實(shí)現(xiàn)多閥值邏輯狀態(tài)，從而通過外接電路可實(shí)現(xiàn)功率器件具有多閾值邏輯狀態(tài)以存儲(chǔ)信息；本發(fā)明在沒有添加任何額外的工藝步驟的前提下，即可制備具有不同閾值電壓，且具有存儲(chǔ)信息能力的多閾值邏輯功率器件，制備工藝簡(jiǎn)單、費(fèi)用低，且應(yīng)用范圍較廣；閾值電壓的數(shù)目可靈活設(shè)計(jì)，以用來存儲(chǔ)多位元的數(shù)字信息或模擬信息于功率器件中；內(nèi)置多閾值電壓的功率MOSFET和IGBT可用于大電流場(chǎng)合，且具有存儲(chǔ)信息的能力。

本發(fā)明授權(quán)多閾值邏輯功率器件及制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種多閾值邏輯功率器件，其特征在于，所述多閾值邏輯功率器件包括：第一導(dǎo)電類型外延層；第二導(dǎo)電類型阱區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型阱區(qū)位于所述第一導(dǎo)電類型外延層內(nèi)；第一導(dǎo)電類型源區(qū)，所述第一導(dǎo)電類型源區(qū)位于所述第二導(dǎo)電類型阱區(qū)內(nèi)；溝槽柵極結(jié)構(gòu)，所述溝槽柵極結(jié)構(gòu)包括柵極介電層及柵極導(dǎo)電層，所述溝槽柵極結(jié)構(gòu)位于所述第一導(dǎo)電類型外延層內(nèi)，且貫穿所述第一導(dǎo)電類型源區(qū)及第二導(dǎo)電類型阱區(qū)；接觸結(jié)構(gòu)，所述接觸結(jié)構(gòu)貫穿所述第一導(dǎo)電類型源區(qū)以與所述第二導(dǎo)電類型阱區(qū)相接觸，且所述接觸結(jié)構(gòu)包括第二導(dǎo)電類型接觸部；其中，所述接觸結(jié)構(gòu)構(gòu)成接觸結(jié)構(gòu)陣列，所述接觸結(jié)構(gòu)陣列具有同一公共的所述溝槽柵極結(jié)構(gòu)，且在所述接觸結(jié)構(gòu)陣列中所述第二導(dǎo)電類型接觸部的邊緣與溝道邊緣之間具有不同的橫向間距；在所述接觸結(jié)構(gòu)陣列中，所述第二導(dǎo)電類型接觸部的摻雜濃度隨所述橫向間距的增大而減小。

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