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龍圖騰網恭喜杭州宏晟微電子有限公司申請的專利一種功率半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112928167B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110363338.3，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權一種功率半導體器件及其制造方法是由陳龍設計研發完成，并于2021-04-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種功率半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種功率半導體器件及其制造方法，該方法包括在第一摻雜類型的半導體襯底中形成溝槽，在所述溝槽中形成第一介質層和第二介質層；去除溝槽頂部分區域一定深度的第一介質層；去除溝槽內的第二介質層，形成第二凹槽結構；在第二凹槽內形成柵氧，使凹槽側壁底部氧化層由第一介質層、柵氧構成，厚度較厚，形成無縫隙填充的導電材料；選擇性去除溝槽頂的導電材料使導電材料分離一定距離，在溝槽中形成第三凹槽和第四凹槽；在所述第三凹槽和第四凹槽填充第三介質層，減少屏蔽導體和柵極導體之間短接、漏電風險，優化GS間的電容參數，從而可以提高功率半導體器件的良率，減少可靠性風險。

本發明授權一種功率半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種功率半導體器件的制造方法，其特征在于：方法步驟如下：S1：以具有特定摻雜類型的半導體襯底為原料，在襯底上形成外延層，并在外延層上開設一定寬度和深度的溝槽；S2：在外延層的表面和溝槽內依次設置第一介質層和第二介質層；S3：采用化學機械平面化的方法去除外延層的表面和溝槽頂部的第二介質層；S4：采用濕法或干法刻蝕去除外延層表面和溝槽頂部的第一介質層，形成第一凹槽結構；S5：采用濕法或干法刻蝕去除溝槽內的第二介質層，形成第二凹槽結構；S6：在第二凹槽靠外延層側壁上采用熱氧化工藝進行柵氧氧化，使得第二凹槽中形成導電材料；S7：選擇性去除溝槽中的導電材料，并使得導電材料分離一定的距離形成第三凹槽和第四凹槽；S8：采用熱氧化或化學氣相沉積CVD方法，在第三凹槽和第四凹槽中填充第三介質層；S9：選擇合適的摻雜劑，采用多次離子注入的方法形成不同類型的摻雜區，然后進行熱退火以激活雜質，形成器件的體內摻雜區以及需要的PN結器件結構；S10：采用化學氣相沉積CVD的方法在外延層表面和溝槽頂部形成第四介質層，并采用光刻、刻蝕工藝選擇性形成接觸孔，進行接觸孔注入；S11：采用MOCVD、PVD工藝淀積Ti、TiN、W、Al、AlSi、AlCu、AlSiCu金屬材料中的一種或多種組合填充接觸孔，再采用光刻、刻蝕工藝形成金屬電極；在步驟S5中，采用濕法或干法刻蝕，使溝槽中所有第二介質層全部去除，保留S4中形成的第一介質層形貌，形成外延層表面、溝槽頂部弧形側壁裸露的第二凹槽結構，當第二凹槽形成后，后續多晶需要填充的區域縱寬比小于溝槽的縱寬比。

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