恭喜株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社平田直文獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115084279B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110678555.1，技術領域涉及：H10D8/60；該發明授權半導體裝置是由平田直文;蔵口友美;植木伸一;堀陽一;谷平圭設計研發完成，并于2021-06-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明的實施方式的半導體裝置具備包含第1導電型的第1半導體層的半導體部、設置于上述半導體部的背面上的第1電極、和設置于上述半導體部的表面上的第2電極。上述第2電極包含勢壘層和金屬層，上述勢壘層與上述第1半導體層相接，包含釩或釩化合物作為主要成分。上述金屬層設置于上述勢壘層上。
本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其具備：半導體部，該半導體部包含第1導電型的第1半導體層；第1電極，該第1電極設置于所述半導體部的背面上；和第2電極，該第2電極是設置于所述半導體部的表面上的第2電極，所述第2電極包含勢壘層和金屬層，所述勢壘層與所述第1半導體層相接，包含釩或釩化合物作為主要成分，所述金屬層設置于所述勢壘層上，所述勢壘層包含第1層和第2層，所述第1層按照與所述第1半導體層相接的方式設置，包含硅釩及碳化釩中的至少任一者，所述第2層設置于所述第1層與所述金屬層之間，包含金屬釩或氮化釩。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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