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龍圖騰網恭喜北京北方華創微電子裝備有限公司申請的專利半導體封裝結構的加工方法和半導體封裝結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114300413B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111464285.0，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體封裝結構的加工方法和半導體封裝結構是由張海苗;林源為;周賜設計研發完成，并于2021-12-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體封裝結構的加工方法和半導體封裝結構在說明書摘要公布了：本發明公開一種半導體封裝結構的加工方法和半導體封裝結構，其中加工方法包括：提供晶圓，晶圓的第一表面暴露出焊墊；在第一表面上依次形成圖案化的第一鈍化層和布線層，布線層電連接焊墊；在第二表面上形成圖案化的第二鈍化層；以第二鈍化層為掩膜，對晶圓進行第一組刻蝕步驟，以在晶圓上刻蝕形成非貫通孔，且非貫通孔的孔底與第一鈍化層之間具有預設距離；繼續對晶圓進行第二組刻蝕步驟，以形成貫通晶圓的硅通孔，其中，第一組刻蝕步驟的刻蝕深度和刻蝕速率均大于第二組刻蝕步驟的刻蝕深度和刻蝕速率；在硅通孔的底部填充介質層；回刻去除硅通孔位置處的介質層和第一鈍化層，直至露出布線層；在硅通孔中形成金屬柱，金屬柱電連接布線層。

本發明授權半導體封裝結構的加工方法和半導體封裝結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體封裝結構的加工方法，其特征在于，包括：提供晶圓，所述晶圓包括相對的第一表面和第二表面，所述晶圓的第一表面暴露出焊墊；在所述第一表面上依次形成圖案化的第一鈍化層和布線層，所述布線層電連接所述焊墊；在所述第二表面上形成圖案化的第二鈍化層；以所述第二鈍化層為掩膜，對所述晶圓進行第一組刻蝕步驟，以在所述晶圓上刻蝕形成非貫通孔，且所述非貫通孔的孔底與所述第一鈍化層之間具有預設距離；繼續對所述晶圓進行第二組刻蝕步驟，以形成貫通所述晶圓的硅通孔，其中，所述第一組刻蝕步驟的刻蝕深度和刻蝕速率均大于所述第二組刻蝕步驟的刻蝕深度和刻蝕速率；采用等離子刻蝕工藝，在第五工藝條件下去除所述硅通孔中的聚合物；在所述硅通孔的底部填充介質層，所述介質層填補所述硅通孔底部周圍的缺口；回刻去除所述硅通孔位置處的所述介質層和所述第一鈍化層，直至露出所述布線層，形成最終的硅通孔，填補所述缺口位置的介質層保留在最終的硅通孔的側壁上；在所述硅通孔中形成金屬柱，所述金屬柱電連接所述布線層；其中，所述在所述硅通孔的底部填充介質層，包括：采用溶膠凝膠法制備膠液；通過浸漬提拉法在所述晶圓表面涂抹上所述膠液；對涂抹所述膠液的晶圓進行熱處理。

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