恭喜北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司賀小明獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司申請的專利靜電卡盤及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN114203617B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202111505206.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H01L21/683;該發(fā)明授權(quán)靜電卡盤及其制備方法是由賀小明設(shè)計研發(fā)完成,并于2021-12-10向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本靜電卡盤及其制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明提供一種靜電卡盤及其制備方法,該靜電卡盤包括基座、設(shè)置在基座上的用于加熱晶圓的加熱層和設(shè)置在加熱層上的用于吸附晶圓的吸附層,其中,加熱層與基座之間、加熱層與吸附層之間以及加熱層的側(cè)面均設(shè)置有粘結(jié)層,其特征在于,還包括具有耐腐蝕材質(zhì)的密封環(huán),密封環(huán)上設(shè)置有多個在密封環(huán)的內(nèi)側(cè)面和外側(cè)面之間貫穿的通孔,密封環(huán)設(shè)置在基座上,且環(huán)繞在加熱層的周圍,用于對位于密封環(huán)內(nèi)側(cè)的粘結(jié)層進行密封。本發(fā)明提供的靜電卡盤及其制備方法,可以顯著降低粘結(jié)層被刻蝕產(chǎn)生顆粒污染的可能性和危險性,從而可以改善等離子體刻蝕工藝的穩(wěn)定性,提高芯片產(chǎn)品良率。
本發(fā)明授權(quán)靜電卡盤及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種靜電卡盤,包括基座、設(shè)置在所述基座上的用于加熱晶圓的加熱層和設(shè)置在所述加熱層上的用于吸附晶圓的吸附層,其中,所述加熱層與所述基座之間、所述加熱層與所述吸附層之間以及所述加熱層的側(cè)面均設(shè)置有粘結(jié)層,其特征在于,還包括具有耐腐蝕材質(zhì)的密封環(huán),所述密封環(huán)上設(shè)置有多個在所述密封環(huán)的內(nèi)側(cè)面和外側(cè)面之間貫穿的通孔,所述通孔允許所述粘結(jié)層的粘結(jié)材料在熱壓狀態(tài)下通過,所述密封環(huán)設(shè)置在所述基座上,且環(huán)繞在所述加熱層的周圍,用于對位于所述密封環(huán)內(nèi)側(cè)的所述粘結(jié)層進行密封。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù),可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)@麢?quán)人北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司,其通訊地址為:100176 北京市北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)文昌大道8號;或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服,聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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