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龍圖騰網(wǎng)恭喜北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司申請的專利半導(dǎo)體工藝方法及半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114944331B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號(hào)為：202210742284.6，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/3065；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體工藝方法及半導(dǎo)體器件是由李宛桐;朱海云;蔣中偉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體工藝方法及半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體工藝方法及半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體工藝方法包括：S100、提供待刻蝕的晶圓，晶圓包括掩膜層、硅膜層和基層，掩膜層刻蝕有第一圖形；S200、向反應(yīng)腔室通入第一工藝氣體，電離第一工藝氣體形成第一等離子體，利用第一等離子體對硅膜層進(jìn)行刻蝕，以在硅膜層上刻蝕形成與第一圖形的輪廓形狀相同，且預(yù)設(shè)深度的第二圖形；S300、向反應(yīng)腔室內(nèi)通入第二工藝氣體，第二工藝氣體為惰性氣體，電離第二工藝氣體形成第二等離子體，利用第二等離子體轟擊晶圓上的掩膜層；S400、向反應(yīng)腔室通入第三工藝氣體，第三工藝氣體為氧氣，電離第三工藝氣體形成第三等離子體，利用第三等離子體刻蝕殘留的掩膜層。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體工藝方法及半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體工藝方法，其特征在于，包括：S100、提供待刻蝕的晶圓，所述晶圓包括掩膜層130、硅膜層140和基層150，所述掩膜層130刻蝕有第一圖形170；S200、向反應(yīng)腔室通入第一工藝氣體，電離所述第一工藝氣體形成第一等離子體，利用所述第一等離子體對所述硅膜層140進(jìn)行刻蝕，以在所述硅膜層140上刻蝕形成與所述第一圖形170的輪廓形狀相同，且預(yù)設(shè)深度的第二圖形180；S300、向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入第二工藝氣體，所述第二工藝氣體為惰性氣體，電離所述第二工藝氣體形成第二等離子體，利用所述第二等離子體轟擊所述晶圓上的掩膜層130；S400、向所述反應(yīng)腔室通入第三工藝氣體，所述第三工藝氣體為氧氣，電離所述第三工藝氣體形成第三等離子體，利用所述第三等離子體刻蝕殘留的所述掩膜層130。

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