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龍圖騰網恭喜電子科技大學申請的專利一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaN HEMT器件的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115050813B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210829590.3，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaN HEMT器件的制造方法是由魏杰;趙智家;鄧思宇;楊可萌;郗路凡;孫濤;廖德尊;張成;賈艷江;羅小蓉設計研發完成，并于2022-07-15向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaN HEMT器件的制造方法在說明書摘要公布了：本發明屬于功率半導體技術領域，涉及一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaNHEMT器件的制造方法。該制造方法中，先采用光刻工藝，形成寬度依次變小的窗口，之后通過寬度依次變小的窗口一次性干法刻蝕實現深度依次變淺的階梯槽，最后進行一次性氟離子注入，形成漸變摻雜階梯氟離子終端。該終端能更好地優化表面電場，提升器件耐壓，并且該制造方法通過一次性氟離子注入形成柵下氟離子區和漸變摻雜階梯氟離子終端，同時實現了增強型和提高器件耐壓，降低工藝的難度。另外，該制造方法中氟離子注入到鈍化層中而非直接注入到勢壘層AlGaN中，可減小對二維電子氣遷移率的影響，抑制動態電阻增加和電流崩塌效應，改善器件正向導通和動態特性。

本發明授權一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaN HEMT器件的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種具有漸變摻雜階梯氟離子終端的GaNHEMT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟1：材料準備，包括自下而上層疊設置的襯底1、GaN緩沖層2、GaN溝道層3以及AlGaN勢壘層4；步驟2：在AlGaN勢壘層4上淀積介質形成介質鈍化層5；步驟3：采用刻蝕工藝刻蝕介質鈍化層5的兩端，并在AlGaN勢壘層4的兩端顯露出源極孔和漏極孔，淀積第一導電材料，采用刻蝕或者剝離工藝，形成源極6和漏極12；步驟4：采用刻蝕工藝，在介質鈍化層5上表面刻蝕形成柵槽7，且柵槽7深度小于介質鈍化層5的厚度；步驟5：在介質鈍化層5上方涂覆光刻膠11，并光刻形成窗口區9，且窗口區9包含沿著從源極到漏極的方向依次變窄的多個窗口，窗口數量為N且N＞2，其中最靠近源極的窗口與柵槽7在豎直方向上對齊，最靠近漏極的窗口與漏極之間具有間距；步驟6：采用干法刻蝕工藝，通過窗口區9對介質鈍化層5進行刻蝕，形成沿從源極到漏極的方向深度依次變淺的多個介質槽，且最深的介質槽的底部仍然還保留介質鈍化層5；步驟7：通過窗口區9向介質鈍化層5注入氟離子，形成多個氟離子注入區，其中位于柵槽7下方的氟離子注入區穿過介質鈍化層5進入AlGaN勢壘層4中，而其他氟離子區僅在介質鈍化層5內，介質槽與氟離子注入區共同構成漸變摻雜階梯氟離子終端8；去除光刻膠11，并進行退火；步驟8：淀積第二導電材料，采用刻蝕或者剝離工藝，形成柵極13。

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