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龍圖騰網恭喜松山湖材料實驗室申請的專利一種可調節磁場發生裝置及其刻蝕方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115148447B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210919655.3，技術領域涉及：H01F7/00；該發明授權一種可調節磁場發生裝置及其刻蝕方法是由田修波;宋光耀設計研發完成，并于2022-08-02向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種可調節磁場發生裝置及其刻蝕方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種可調節磁場發生裝置及其刻蝕方法，其中所述裝置包括：弧陰極組件；所述弧陰極組件包括可移動磁鐵組和與所述可移動磁鐵組對應的弧靶；所述可移動磁鐵組包括多個磁鐵單元；每個所述磁鐵單元能分別移動調整與所述弧靶之間的距離而改變磁場于所述弧靶表面的分布，以便于通過所述弧靶對所述基片進行刻蝕。本發明所提供的可調節磁場發生裝置，通過分別調整可移動磁鐵組中多個磁鐵單元與所述弧靶之間的距離而改變磁場于所述弧靶表面的分布，使弧靶表面的磁場均勻分布，從而有利于弧靶的均勻刻蝕，并且調節方法簡單、易于操作，為基片刻蝕提供了方便。

本發明授權一種可調節磁場發生裝置及其刻蝕方法在權利要求書中公布了：1.一種可調節磁場發生裝置，應用于對基片的刻蝕，其特征在于，包括：弧陰極組件；所述弧陰極組件包括可移動磁鐵組和與所述可移動磁鐵組對應的弧靶；所述弧陰極組件的所述可移動磁鐵組中包括四個磁鐵單元，分別為設于中心位置的柱狀的磁柱，以及以所述磁柱為中心由內至外依次嵌套設于所述磁柱外的第一磁環、第二磁環和第三磁環；所述磁鐵單元的材質包括AlFeB和FeCoNi中的一種或兩種；每個所述磁鐵單元能分別移動調整與所述弧靶之間的距離而改變磁場于所述弧靶表面的分布，以便于通過所述弧靶對所述基片進行刻蝕；所述移動調整與所述弧靶之間的距離而改變磁場于所述弧靶表面的分布，包括：根據可移動磁鐵組的材質，基于徑向由內至外依次調整所述可移動磁鐵組中的磁柱、第一磁環、第二磁環和第三磁環的圓形平面的端面至弧靶的距離，包括：確定所述磁柱的L4，在所述磁柱的材質為AlFeB時，L4為30-80mm；在所述磁柱的材質為FeCoNi時，L4為15-40mm；在所述磁柱基礎上，加入所述第一磁環，根據公式L3＝a×L4確定L3，當所述第一磁環的材質為AlFeB時，a為30-60％；當所述第一磁環的材質為FeCoNi時，a為60-90％；在所述第一磁環基礎上，加入所述第二磁環，根據公式確定L2；其中b、c為自然數，b≥c；當所述第二磁環的材質為AlFeB材質時，c為1，b為1-4；當所述第二磁環的材質為FeCoNi材質時，c為4，b為5-8；在所述第二磁環基礎上，加入所述第三磁環，根據公式L1＝L2+f確定L1，當所述第三磁環的材質為AlFeB材質時，f為4-8mm；當所述第三磁環的材質為FeCoNi材質時，f為1-5mm；多個所述磁鐵單元之間能夠依據大小基于由中心至外的方向有間隙的層層包圍設置，構成嵌套結構；并且，所述嵌套結構的軸向與所述弧靶相垂直，所述嵌套結構的徑向截面與所述弧靶平行；在所述可移動磁鐵組中，所述嵌套結構由中心至外方向相鄰的兩個所述磁鐵單元朝向所述弧靶的端面的磁極相反而產生磁場，以便于在所述弧靶表面形成對應的磁場封閉區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人松山湖材料實驗室，其通訊地址為：523808 廣東省東莞市松山湖大學創新城A1棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。