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龍圖騰網恭喜成都芯辰新能源科技有限公司申請的專利光子聲子協同增效的異質結太陽電池濺射損傷修復方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115411154B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211111610.X，技術領域涉及：H10F71/10；該發明授權光子聲子協同增效的異質結太陽電池濺射損傷修復方法是由俞健;李君君設計研發完成，并于2022-09-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本光子聲子協同增效的異質結太陽電池濺射損傷修復方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種光子聲子協同增效的異質結太陽電池濺射損傷修復方法，包括在空穴選擇性傳輸層或電子選擇性傳輸層表面制備透明導電薄膜，高能粒子轟擊對硅襯底造成濺射損傷；將已制備完成的異質結太陽電池采用光子與微波注入的聲子強耦合柔和處理；本發明通過光子?聲子耦合柔和處理，不僅可在室溫下完全修復濺射損傷，拓寬了磁控濺射技術的應用前景，并可降低界面缺陷態密度，改善載流子的提取能力，促進異質結太陽電池光電轉換效率的提升，同時也為突破無摻雜異質結太陽電池的溫度穩定性瓶頸提供了一種有效的解決方案。

本發明授權光子聲子協同增效的異質結太陽電池濺射損傷修復方法在權利要求書中公布了：1.光子聲子協同增效的異質結太陽電池濺射損傷修復方法，其特征在于，包括步驟：A1、對N型單晶硅襯底層進行損傷去除以及表面織構化；A2、在N型單晶硅襯底層雙面均制備本征非晶硅薄膜層；A3、在非晶硅薄膜層任意一側制備空穴選擇性傳輸層；A4、在非晶硅薄膜的另一側制備電子選擇性傳輸層；A5、在空穴選擇性傳輸層或電子選擇性傳輸層表面制備透明導電薄膜，高能粒子轟擊N型單晶硅襯底造成濺射損傷；A6、在透明導電薄膜表面制備金屬電極，或在未設置透明導電薄膜的空穴選擇性傳輸層或電子選擇性傳輸層表面制備金屬電極；A7、將異質結太陽電池采用光子與微波注入的聲子強耦合柔和處理；光子與微波注入的聲子強耦合處理的方法，包括聲子-激子強耦合形成準粒子修復、光子-激子極化形成準粒子修復、聲子-聲子耦合形成準粒子修復、光子-光子極化子修復中的一種或幾種的組合；微波注入的聲子所需溫度為25oC-100oC，微波注入聲子的氛圍為氫氣、氮氣、氬氣、空氣中的一種或幾種的組合，聲子-聲子耦合中的聲子分別處于不同的量子態；A8、濺射損傷被完全修復。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人成都芯辰新能源科技有限公司，其通訊地址為：610000 四川省成都市高新區天府二街138號3棟26樓2611號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。