恭喜吉林大學高偉獲國家專利權
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龍圖騰網恭喜吉林大學申請的專利自支撐大面積六方氮化硼單晶及其制備方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116145230B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202310185380.X,技術領域涉及:C30B9/10;該發明授權自支撐大面積六方氮化硼單晶及其制備方法是由高偉;邰家勁;殷紅設計研發完成,并于2023-03-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本自支撐大面積六方氮化硼單晶及其制備方法在說明書摘要公布了:自支撐大面積六方氮化硼單晶及其制備方法,屬于單晶材料制備和半導體探測器領域。所述制備方法具體步驟包括:機械合金化制備硼源;高溫熔融;偏析合成六方氮化硼;化學腐蝕剝離得到自支撐大面積六方氮化硼單晶。該方法通過預制硼源,以及在高溫實驗過程中將保護氣體和反應氣體分段通入,實現大面積六方氮化硼單晶的制備。目前對于六方氮化硼研究以及應用的過程中最主要的問題就是單晶尺寸不夠大,質量不夠高,無法實現商用,而該方法可以獲得橫向尺寸高達幾厘米的六方氮化硼單晶,對于將來在六方氮化硼上進行商業應用具有重大意義,同時也對其他半導體材料或二維材料的合成、研究以及應用也有一定的啟發。
本發明授權自支撐大面積六方氮化硼單晶及其制備方法在權利要求書中公布了:1.自支撐大面積六方氮化硼單晶制備方法,其特征在于,所述六方氮化硼單晶為完整連續的自支撐大面積六方氮化硼單晶膜,整體晶面為(002),側邊為[1-100]和[11-20]方向,橫向尺寸超過3cm,面積超過5cm2,厚度為5~100μm,單個晶疇橫向尺寸1mm以上;透明度高,從短波紅外到近紫外光波段透光率為85%以上;電絕緣性好,表面電阻率為1015Ω量級;所述制備方法包括:步驟一,機械合金化制備鎳鉻硼合金粉末:其中金屬鎳和鉻按照1:0.1~1.5的質量比,兩種金屬和單質硼粉按照1:0.1~0.4的質量比;步驟二,高溫熔融:將制備好的鎳鉻硼合金粉末迅速轉移到高溫坩堝中,將坩堝置于管式爐的加熱溫區,將爐管內抽至真空,通氫氬氣混合氣體至常壓,重復3~5次;再在50~200sccm流量的氫氬氣混合氣氛下將爐內溫度加熱至1400~1700℃,待溫度穩定后,保持1~4h;步驟三,偏析合成六方氮化硼:以1:0.5~1.2的氣流量比通入氮氣與氫氬混合氣體,總流量為200~300sccm,以不高于6℃h的速度降溫至1300~1600℃,自然冷卻至室溫,在合金塊上表面合成六方氮化硼單晶膜;步驟四,化學腐蝕剝離得到自支撐大面積六方氮化硼單晶:將冷卻后合金塊放置于3:1體積比的濃鹽酸和濃硝酸的混合溶液中加熱,控制溫度在40~60℃,直至上表面氮化硼膜自然脫落,得到完整連續的自支撐大面積六方氮化硼單晶膜。
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