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龍圖騰網(wǎng)恭喜洛陽中硅高科技有限公司申請的專利一種碳化硅晶體沉積裝置及方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119082876B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-05-23發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411586467.9，技術(shù)領(lǐng)域涉及：C23C16/32；該發(fā)明授權(quán)一種碳化硅晶體沉積裝置及方法是由常卓明;張邦潔;萬燁;陳輝;劉見華設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-11-08向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種碳化硅晶體沉積裝置及方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明屬于半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種碳化硅晶體沉積裝置及方法，包括：罩體和底盤；底盤與罩體的底端密封配合以形成一密封的沉積空間，通過設(shè)置多孔隔板將罩體內(nèi)的沉積空間分為靠下的反應(yīng)空間和靠上的補料空間，這樣可單獨向補料空間補充新鮮物料，不會和反應(yīng)空間內(nèi)的物料進(jìn)行混合，且反應(yīng)空間和補料空間可分別由對應(yīng)的管路進(jìn)料，從而將上部的新鮮物料經(jīng)對應(yīng)的導(dǎo)流孔補充到下部濃度低的位置，進(jìn)而調(diào)整棒體拐角處的物料濃度，以盡量實現(xiàn)棒體拐角區(qū)域與其他區(qū)域晶體生長速度的一致性，從而提高棒體表面的晶體生長質(zhì)量，有利于減少或者避免棒體表面晶體厚度不均出現(xiàn)的裂紋、傾倒等問題。

本發(fā)明授權(quán)一種碳化硅晶體沉積裝置及方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種碳化硅晶體沉積裝置，其特征在于，包括：罩體和底盤；所述底盤與所述罩體的底端密封配合以形成沉積空間；所述底盤上至少布置有多個第一電極和多個第二電極，多個所述第一電極形成第一電極環(huán)，多個所述第二電極形成第二電極環(huán)，所述第二電極環(huán)包圍所述第一電極環(huán)，所述第一電極上對應(yīng)設(shè)置有第一棒體，相鄰的兩個所述第一棒體所述第二電極上對應(yīng)設(shè)置內(nèi)第二棒體；所述罩體內(nèi)位于所述第一棒體和所述第二棒體的上方設(shè)置有多孔隔板，所述多孔隔板將所述沉積空間分為靠上的補料空間和靠下的反應(yīng)空間；所述底盤中心穿插設(shè)置有第一進(jìn)料管路，所述罩體的頂部連接有第二進(jìn)料管路；所述第一進(jìn)料管路用于向所述反應(yīng)空間提供供料氣體組分為碳源、硅源、和氫氣的第一混合物料，所述第二進(jìn)料管路用于向所述補料空間提供供料氣體組分為單一的碳源、硅源或氫氣或者碳源、硅源和氫氣的第二混合物料；所述多孔隔板上設(shè)置有朝向所述第一棒體上端的第一導(dǎo)流孔以及朝向所述第二棒體上端的第二導(dǎo)流孔，所述第二導(dǎo)流孔相對于豎直方向的傾斜角度大于所述第一導(dǎo)流孔相對于豎直方向的傾斜角度，所述第一導(dǎo)流孔相對于豎直方向的第一傾斜角度為5°~45°，所述第二導(dǎo)流孔相對于豎直方向的第二傾斜角度為25°~60°，保證所述補料空間的氣流進(jìn)入所述反應(yīng)空間時，順沿著所述反應(yīng)空間的氣流方向流動，從而覆蓋更大范圍的所述反應(yīng)空間，有利于提升碳化硅晶體的生長均勻性；所述第一導(dǎo)流孔與所述第一棒體的拐角處一一對應(yīng)；和或，所述第一導(dǎo)流孔在所述底盤上的正投影位于所述第一棒體在所述底盤上的正投影的內(nèi)側(cè)，這樣所述第一導(dǎo)流孔自上而下向遠(yuǎn)離所述多孔隔板中心的方向傾斜，能夠使得補充的新鮮物料順著所述第一導(dǎo)流孔向所述反應(yīng)空間的周圍分散至對應(yīng)的棒體拐角區(qū)域；所述第二導(dǎo)流孔與所述第二棒體的拐角處一一對應(yīng)；和或，所述第二導(dǎo)流孔在所述底盤上的正投影位于所述第二棒體在所述底盤上的正投影的內(nèi)側(cè)，這樣所述第二導(dǎo)流孔自上而下向遠(yuǎn)離所述多孔隔板中心的方向傾斜，能夠使得補充的新鮮物料順著所述第二導(dǎo)流孔向所述反應(yīng)空間的周圍分散至對應(yīng)的棒體拐角區(qū)域；還包括：控制模塊；所述第二進(jìn)料管路上設(shè)置相應(yīng)的開關(guān)閥和計量部件；所述罩體的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置有膜厚檢測部件，所述控制模塊分別與所述膜厚檢測部件、所述開關(guān)閥和所述計量部件電性連接，所述膜厚檢測部件用于監(jiān)測第一棒體和第二棒體上的晶體膜厚數(shù)據(jù)，所述控制模塊用于根據(jù)獲取的所述晶體膜厚數(shù)據(jù)調(diào)節(jié)所述開關(guān)閥的開閉以及所述計量部件的流量大小；所述晶體膜厚數(shù)據(jù)是指拐角處的晶體膜厚與該棒體上其余部分的晶體膜厚的差異。

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