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龍圖騰網恭喜合肥芯勝半導體有限公司申請的專利一種分子束外延生長控制方法及源爐裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119615359B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510152224.2，技術領域涉及：C30B25/16；該發明授權一種分子束外延生長控制方法及源爐裝置是由郭宏娜;劉冰冰設計研發完成，并于2025-02-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種分子束外延生長控制方法及源爐裝置在說明書摘要公布了：本發明公開了一種分子束外延生長控制方法及源爐裝置，分子束外延生長材料包括決定元素和過量元素，決定元素是束流量大小直接影響生長速率和或組分的元素，過量元素是束流量超過一定數值后不影響生長速率和或組分；每種決定元素均設置生長源爐和補償源爐，生長源爐根據經驗曲線進行溫度控制且在每爐生長過程中保持溫度穩定，補償源爐在每爐生長過程中溫度可變，通過調節補償源爐溫度來補償生長源爐實際生長速率或束流與目標生長速率或束流之間的差值。源爐裝置包括生長源爐和補償源爐，用于實施上述方法。本發明在無需提高源爐溫度控制精度的情況下，即可進行更加精確可控的生長速率或束流的調節。

本發明授權一種分子束外延生長控制方法及源爐裝置在權利要求書中公布了：1.一種分子束外延生長控制方法，其特征在于，所述分子束外延生長材料包括決定元素和過量元素，所述決定元素是束流量大小直接影響生長速率和或組分的元素，所述過量元素是束流量超過一定數值后不影響生長速率和或組分的元素；每種決定元素均設置生長源爐和補償源爐，生長源爐根據經驗曲線進行溫度控制且在每爐生長過程中保持溫度穩定，補償源爐在每爐生長過程中溫度可變，通過調節補償源爐溫度來補償生長源爐實際生長速率或束流與目標生長速率或束流之間的差值；所述生長源爐提供的生長速率或束流占總速率或束流的80%~95%；在兩次生長間隙，通過以下（1）或（2）的方式調節生長源爐和補償源爐溫度：（1）補償源爐降溫至生長開始前的狀態，將生長源爐升溫；（2）維持前次生長結束時的生長源爐和補償源爐溫度，直接進行下一次生長；當預估下一次生長結束時，補償源爐提供的生長速率或束流占總生長速率或束流的百分比超過設定數值時，采用方式（1）調節生長源爐和補償源爐溫度。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥芯勝半導體有限公司，其通訊地址為：238000 安徽省合肥市巢湖市巢湖經濟開發區半湯湖生態科創城產業發展中心3號廠房；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。