恭喜南京大學余林蔚獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網恭喜南京大學申請的專利具有懸空納米線結構的IGZO-FET器件及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119698021B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-05-23發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510194397.0，技術領域涉及：H10D30/43；該發明授權具有懸空納米線結構的IGZO-FET器件及制備方法是由余林蔚;翁樂;錢文濤;王軍轉設計研發完成，并于2025-02-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本具有懸空納米線結構的IGZO-FET器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及微電子制造技術領域。本發明公開了一種具有懸空納米線結構的IGZO?FET器件，懸空納米線結構表面由內而外依次沉積有柵介質層，IGZO溝道層及源、漏電極層，懸空電極及其鏈接的懸空納米線構成CAAIGZO?FET器件的柵電極，懸空電極設有開孔區域用以對由懸空電極鏈接懸空納米線形成的柵電極施加柵極電壓；或懸空納米線結構表面由內而外依次沉積有緩沖層，IGZO溝道層，源、漏電極層，柵介質層及柵電極層構成GAAIGZO?FET器件。本發明獲得的高驅動電流和低的亞閾值擺幅，有效提升了高性能IGZO晶體管的集成密度，適用于高清顯示和高密度集成電路。
本發明授權具有懸空納米線結構的IGZO-FET器件及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種懸空納米線結構，包括設置于襯底上的基底層，其特征在于，還包括垂直于所述基底層平行間隔堆疊的納米線，所述納米線的兩端分別鏈接有懸空電極，所述平行間隔堆疊的納米線中間部分與所述基底層之間存在間隙；所述基底層為氧化硅與氮化硅的交替疊層結構，所述平行間隔堆疊的納米線生長于交替疊層結構的氮化硅引導層；所述氧化硅被刻蝕后，所述交替疊層結構與所述平行間隔堆疊的納米線之間形成所述間隙，兩端懸空電極之間的納米線構成平行堆疊的懸空納米線。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京大學，其通訊地址為：210000 江蘇省南京市棲霞區仙林大道163號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號